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供應(yīng)H27S1G8F2BFR-BI
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H27S1G8F2BFR-BI，供應(yīng)H27S1G8F2BFR-BI

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  • 發(fā)布日期： 2012年08月08日
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型號H27S1G8F2BFR-BI廠家HY
批號11+封裝BGA
產(chǎn)品詳細(xì)說明H27S1G8F2BFR-BI技術(shù)參數(shù)：制造廠商：HYNIX 產(chǎn)品類別：NAND FLASH 工作電壓：1.8V 工作溫度：-40--80 存儲介質(zhì)類別： I/O接口位寬: x 8bit 存儲密度：損壞區(qū)塊： 芯片版本：芯片特征： 封裝類型：FBGA 封裝材料： 無鉛包裝：TRAY 快閃存儲器（英語：Flash Memory），簡稱閃存，是一種電子式可清除程序化只讀存儲器的形式，允許在操作中被多次擦或?qū)懙拇鎯ζ?。這種科技主要用于一般性資料儲存，以及在電腦與其他數(shù)位產(chǎn)品間交換傳輸資料，如儲存卡與隨身碟。閃存是一種特殊的、以大區(qū)塊抹寫的EEPROM。早期的閃存進(jìn)行一次抹除掉就會清除掉整顆芯片上的資料。閃存的成本遠(yuǎn)較可以字節(jié)為單位寫入的EEPROM來的低，也因此成為非揮發(fā)性固態(tài)儲存最重要也最廣為采納的技術(shù)。像是PDA, 手提電腦, 數(shù)位隨身聽, 數(shù)碼相機(jī)與手機(jī)上均可見到閃存。此外，閃存在游戲主機(jī)上的采用也日漸增加，藉以取代儲存游戲資料用的EEPROM或帶有電池的SRAM。閃存是非揮發(fā)性的內(nèi)存。這表示單就保存資料而言, 它是不需要消耗電力的。此外閃存也具有相當(dāng)?shù)偷淖x取延遲(雖然沒有電腦主內(nèi)存的DRAM那么快)。與硬盤相比，閃存也有更佳的動態(tài)抗震性。這些特性正是閃存被行動裝置廣泛采用的原因。閃存還有一項特性：當(dāng)它被制成儲存卡時非?？煽咯ぉぜ词菇谒幸沧阋缘挚垢邏号c極端的溫度。
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