參數(shù)資料
型號(hào)： SUP85N15-21
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 150-V (D-S) 175C MOSFET
中文描述： N溝道150 -五（副）175C MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 5/5頁(yè)
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代理商： SUP85N15-21
SUP85N15-21
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72003
S-21715
—
Rev. A, 07-Oct-02
www.vishay.com
5
THERMAL RATINGS
0
15
30
45
60
75
90
0
25
50
75
100
125
150
175
Safe Operating Area
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
1000
10
0.1
1
10
1000
Limited
by r
DS(on)
0.1
100
T
= 25 C
Single Pulse
Maximum Avalanche and Drain Current
vs. Case Temperature
T
C
- Ambient Temperature ( C)
-
I
D
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Square Wave Pulse Duration (sec)
2
1
0.1
0.01
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
1
N
T
0.2
0.1
Duty Cycle = 0.5
-
I
D
1 ms
10 ms
100 ms
dc
10 s
100 s
Single Pulse
0.05
0.02
1
100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SUP90N06-05L N-Channel 60-V (D-S) 175C MOSFET
SUP90P06-09L P-Channel 60-V (D-S) 175C MOSFET
SUP90P06-09L-E3 P-Channel 60-V (D-S) 175C MOSFET
SUPER1284 P/ACTIVE IEEE 1284 ECP/EPP TERMINATION NETWORK
SUPER1284-02QR P/ACTIVE IEEE 1284 ECP/EPP TERMINATION NETWORK
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SUP85N15-21-E3 功能描述:MOSFET 150V 85A 300W 21mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUP90N03-03 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SUP90N03-03-E3 功能描述:MOSFET 30V 90A 187W 2.9mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUP90N04-3M3P 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 40 V (D-S) MOSFET
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