參數(shù)資料
型號： SUP85N15-21
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 150-V (D-S) 175C MOSFET
中文描述： N溝道150 -五（副）175C MOSFET的
文件頁數(shù)： 3/5頁
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代理商： SUP85N15-21
SUP85N15-21
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72003
S-21715
—
Rev. A, 07-Oct-02
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0
1000
2000
3000
4000
5000
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90
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0
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0
2
4
6
8
10
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Capacitance
Gate Charge
Transconductance
On-Resistance vs. Drain Current
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
-
I
D
-
Q
g
- Total Gate Charge (nC)
I
D
- Drain Current (A)
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
G
-
g
f
25 C
-55 C
T
C
= 125 C
V
DS
= 75 V
I
D
= 85 A
V
GS
= 10 thru 7 V
V
GS
= 10 V
C
iss
C
oss
T
C
= -55 C
25 C
125 C
4 V
-
r
D
)
-
I
D
I
D
- Drain Current (A)
6 V
C
rss
5 V
相關PDF資料
PDF描述
SUP90N06-05L N-Channel 60-V (D-S) 175C MOSFET
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SUP90P06-09L-E3 P-Channel 60-V (D-S) 175C MOSFET
SUPER1284 P/ACTIVE IEEE 1284 ECP/EPP TERMINATION NETWORK
SUPER1284-02QR P/ACTIVE IEEE 1284 ECP/EPP TERMINATION NETWORK
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
SUP85N15-21-E3 功能描述:MOSFET 150V 85A 300W 21mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUP90N03-03 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SUP90N03-03-E3 功能描述:MOSFET 30V 90A 187W 2.9mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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