參數(shù)資料
型號(hào)： SUP85N06
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 60-V (D-S) 175C MOSFET
中文描述： N通道60 - V（下副秘書長）175葷MOSFET的
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大小： 49K
代理商： SUP85N06
SUP/SUB85N06-05
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71113
S-20556
—
Rev. C, 22-Apr-02
www.vishay.com
2-3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0
2000
4000
6000
8000
10000
12000
0
6
12
18
24
30
0
4
8
12
16
20
0
60
120
180
240
300
0
50
100
150
200
250
0
20
40
60
80
100
0.000
0.002
0.004
0.006
0.008
0
20
40
60
80
100
120
0
40
80
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0
1
2
3
4
5
0
50
100
150
200
250
0
2
4
6
8
10
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Capacitance
Gate Charge
Transconductance
On-Resistance vs. Drain Current
V
DS
–
Drain-to-Source Voltage (V)
V
GS
–
Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
D
–
Q
g
–
Total Gate Charge (nC)
I
D
–
Drain Current (A)
V
DS
–
Drain-to-Source Voltage (V)
C
–
V
G
–
g
f
25 C
–
55 C
3 V
T
C
= 125 C
V
GS
= 30 V
I
D
V
GS
= 10 thru 5 V
V
GS
= 10 V
C
iss
C
oss
T
C
=
–
55 C
25 C
125 C
4 V
V
GS
= 4.5 V
–
r
D
)
–
I
D
C
rss
I
D
–
Drain Current (A)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SUP85N06-05 N-Channel 60-V (D-S) 175C MOSFET
SUB85N08-08 N-Channel 75-V (D-S) 175 Degree Celcious MOSFET
SUD06N10-225L N-Channel 100-V (D-S) 175C MOSFET
SUD15N06 N-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET, Logic Level
SUD15P01-52 Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SUP85N06-05 功能描述:MOSFET 60V 85A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUP85N06-05-E3 功能描述:MOSFET 60V 85A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUP85N06-05-T1-E3 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 60V, 85A, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Curr
SUP85N08-08 功能描述:MOSFET 75V 85A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUP85N08-08-E3 功能描述:MOSFET 75V 85A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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