參數(shù)資料
型號(hào)： SUP75N06-08
英文描述： N-Channel Enhancement-Mode Transistors
中文描述： N溝道增強(qiáng)模式晶體管
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大?。?/td> 90K
代理商： SUP75N06-08
SUP/SUB75N08-09L
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 70870
S-60951—Rev. A, 26-Apr-99
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-5
0
15
30
45
60
75
90
0
25
50
75
100
125
150
175
Safe Operating Area
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
300
10
0.1
1
10
100
Limited
by r
DS(on)
1
100
T
= 25 C
Single Pulse
Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
T
C
– Ambient Temperature ( C)
–
I
D
1 s
10 ms
100 ms
dc
10 s
100 s
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Square Wave Pulse Duration (sec)
2
1
0.1
0.01
10
–5
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
N
T
3
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
–
I
D
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SUP75N04-05L TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-220AB
SUB75N04-05L Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
SUP75N08 N-Channel 75-V (D-S), 175C MOSFET
SUP75N08-09L N-Channel 75-V (D-S), 175C MOSFET
SUD15N15-95 SPICE Device Model SUD15N15-95
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參數(shù)描述
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SUP75N06-12L 功能描述:MOSFET 60V 75A 142W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUP75N06-12L-E3 功能描述:MOSFET 60V 75A 142W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUP75N06-12L-T1-E3 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 60V, 75A, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Curr
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