參數(shù)資料
型號： SUP75N06-07L
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 60-V (D-S) 175C MOSFET
中文描述： N通道60 - V（下局副局長）175C MOSFET的
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 45K
代理商： SUP75N06-07L
SUP/SUB75N06-07L
Vishay Siliconix
Document Number: 70776
S-05111
—
Rev. F, 10-Dec-00
www.vishay.com
2-3
0
30
60
90
120
150
180
0
20
40
60
80
100
C
iss
C
rss
–
55 C
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Capacitance
Gate Charge
Transconductance
On-Resistance vs. Drain Current
V
DS
–
Drain-to-Source Voltage (V)
–
I
D
V
GS
–
Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
D
–
–
r
D
Q
g
–
Total Gate Charge (nC)
I
D
–
Drain Current (A)
V
DS
–
Drain-to-Source Voltage (V)
C
–
V
G
V
GS
–
Gate-to-Source Voltage (V)
–
g
f
0
50
100
150
200
250
0
2
4
6
8
10
0
2000
4000
6000
8000
10000
0
10
20
30
40
50
60
0
4
8
12
16
20
0
25
50
75
100
125
0.000
0.002
0.004
0.006
0.008
0.010
0
20
40
60
80
100
0
50
100
150
200
0
1
2
3
4
5
25 C
–
55 C
4 V
V
DS
= 30 V
I
D
= 75 A
V
GS
= 10 thru 5 V
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
C
oss
25 C
125 C
3 V
T
C
= 125 C
相關PDF資料
PDF描述
SUB75N06-07L N-Channel 60-V (D-S) 175C MOSFET
SUP75N08-10 N-Channel 75-V (D-S), 175 Degrees Celcious MOSFET
SUB75N08-10 N-Channel 75-V (D-S), 175C MOSFET
SUP75P05-08 P-Channel 55-V (D-S), 175C MOSFET
SUB75P05-08 P-Channel 55-V (D-S), 175C MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
SUP75N06-07L-E3 功能描述:MOSFET 60V 75A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUP75N06-08 功能描述:MOSFET 60V 75A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUP75N06-08 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N TO-220AB
SUP75N06-08-E3 功能描述:MOSFET 60V 75A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUP75N06-12L 功能描述:MOSFET 60V 75A 142W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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