型號: | SUB75N08-10 |
廠商: | Vishay Intertechnology,Inc. |
英文描述: | N-Channel 75-V (D-S), 175C MOSFET |
中文描述: | N通道75 - V(下局副局長),175C MOSFET的 |
文件頁數(shù): | 1/4頁 |
文件大?。?/td> | 59K |
代理商: | SUB75N08-10 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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SUP75P05-08 | P-Channel 55-V (D-S), 175C MOSFET |
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SUP85N03-04P | N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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SUB75N08-10-E3 | 功能描述:MOSFET 75V 75A 187W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SUB75P03-07 | 功能描述:MOSFET 30V 75A 187W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SUB75P03-07-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 75A 187W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SUB75P03-08 | 功能描述:MOSFET 30V 75A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SUB75P03-08-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 75A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |