參數(shù)資料
型號(hào)： SUP75N03-04
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 30-V (D-S), 175C MOSFET
中文描述： N溝道30 V的（副），175葷M(mǎn)OSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大?。?/td> 60K
代理商： SUP75N03-04
SUP/SUB75N03-07
Vishay Siliconix
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-4
Document Number: 70794
S-000652—Rev. D, 27-Mar-00
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
175
On-Resistance vs. Junction Temperature
Source-Drain Diode Forward Voltage
T
J
– Junction Temperature ( C)
V
SD
– Source-to-Drain Voltage (V)
–
I
S
100
10
0.1
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
V
GS
= 10 V
I
D
T
J
= 25 C
T
J
= 150 C
1
(
–
r
D
)
0
20
40
60
80
0
25
50
75
100
125
150
175
Safe Operating Area
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
500
10
0.1
1
10
100
Limited
by r
DS(on)
1
100
T
= 25 C
Single Pulse
Maximum Drain Current vs.
Ambiemt Temperature
T
A
– Ambient Temperature ( C)
–
I
D
1 ms
10 ms
100 ms
dc
10 s
100 s
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Square Wave Pulse Duration (sec)
2
1
0.1
0.01
10
–5
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
N
T
3
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
–
I
D
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PDF描述
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SUB75N06-07L N-Channel 60-V (D-S) 175C MOSFET
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參數(shù)描述
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SUP75N04-05L-E3 功能描述:MOSFET 40V 75A 130W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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