參數(shù)資料
型號： SUP70N03-09P
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 30-V (D-S), 175C, MOSFET PWM Optimized
中文描述： N溝道30 V的（副），175葷，MOSFET的脈寬調(diào)制優(yōu)化
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 73K
代理商： SUP70N03-09P
SUP/SUB70N03-09P
Vishay Siliconix
Document Number: 70821
S-59917—Rev. A, 28-Sep-98
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-3
0
1000
2000
3000
4000
0
6
12
18
24
30
0
2
4
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8
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30
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50
60
70
0
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0.010
0.015
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0.025
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5
0
30
60
90
120
150
180
0
2
4
6
8
10
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Capacitance
Gate Charge
Transconductance
On-Resistance vs. Drain Current
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
D
–
Q
g
– Total Gate Charge (nC)
I
D
– Drain Current (A)
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
G
–
g
f
25 C
–55 C
3 V
T
C
= 125 C
V
DS
= 15 V
I
D
= 70 A
V
GS
= 10 thru 7 V
5 V
V
GS
= 10 V
C
iss
C
oss
C
rss
T
C
= –55 C
25 C
125 C
4 V
V
GS
= 4.5 V
–
r
D
)
–
I
D
6 V
I
D
– Drain Current (A)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SUB70N06-14 N-Channel 60-V (D-S), 175 Degree Celcious MOSFET
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SUB75N03-04 N-Channel 30-V (D-S), 175C MOSFET
SUB75N05-07 N-Channel 55-V (D-S), 175C MOSFET
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參數(shù)描述
SUP70N03-09P-E3 功能描述:MOSFET 30V 70A 93W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUP70N03-09P-T1-E3 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 30V, 70A, TO-263, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Dr
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SUP70N04-10-E3 功能描述:MOSFET 40V 70A 120W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUP70N06-14 功能描述:MOSFET 60V 70A 142W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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