參數資料
型號： SUP70N03-09BP
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 30-V (D-S), 175C, MOSFET PWM Optimized
中文描述： N溝道30 V的（副），175C，MOSFET的脈寬調制優(yōu)化
文件頁數： 1/5頁
文件大小： 48K
代理商： SUP70N03-09BP
SUP/SUB70N03-09BP
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71229
S-20102—Rev. B, 11-Mar-02
www.vishay.com
1
N-Channel 30-V (D-S), 175 C, MOSFET PWM Optimized
V
(BR)DSS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
0.009 @ V
GS
= 10 V
70
a
30
0.013 @ V
GS
= 4.5 V
60
D
G
S
N-Channel MOSFET
TO-220AB
Top View
G D S
SUP70N03-09BP
SUB70N03-09BP
TO-263
S
G
Top View
DRAIN connected to TAB
D
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
30
Gate-Source Voltage
V
GS
20
V
T
C
= 25 C
70
b
Continuous Drain Current
(T
J
= 175 C)
T
C
= 100 C
I
D
50
Pulsed Drain Current
I
DM
200
A
Avalanche Current
I
AR
30
Repetitive Avalanche Energy
a
L = 0.1 mH
E
AR
61
mJ
Power Dissipation
T
C
= 25 C
P
D
93
b
W
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 175
C
Parameter
Symbol
Limit
Unit
PCB Mount (TO-263)
c
40
Junction-to-Ambient
Free Air (TO-220AB)
R
thJA
62.5
C/W
Junction-to-Case
R
thJC
1.6
Notes:
a.
b.
c.
Duty cycle
See SOA curve for voltage derating.
When mounted on 1” square PCB (FR-4 material).
1%.
相關PDF資料
PDF描述
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相關代理商/技術參數
參數描述
SUP70N03-09BP-E3 功能描述:MOSFET 30V 70A 93W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUP70N03-09P 功能描述:MOSFET 30V 70A 93W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUP70N03-09P-E3 功能描述:MOSFET 30V 70A 93W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUP70N03-09P-T1-E3 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 30V, 70A, TO-263, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Dr
SUP70N04-10 功能描述:MOSFET 40V 70A 120W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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