參數(shù)資料
型號(hào)： SUP75N05-07
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 55-V (D-S), 175C MOSFET
中文描述： N通道55 -五（副），175葷MOSFET的
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 48K
代理商： SUP75N05-07
SUP/SUB75N05-06
Vishay Siliconix
Document Number: 70292
S-05110—Rev. E, 10-Dec-01
www.vishay.com
2-1
N-Channel 50-V (D-S), 175 C MOSFET
V
(BR)DSS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
50
0.006
75
D
G
S
N-Channel MOSFET
SUP75N05-06
SUB75N05-06
DRAIN connected to TAB
TO-220AB
Top View
G D S
TO-263
S
G
Top View
D
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Gate-Source Voltage
V
GS
20
V
Continuous Drain Current
(T
J
= 175 C)
T
C
= 25 C
75
a
T
C
= 125 C
I
D
70
Pulsed Drain Current
I
DM
240
A
Avalanche Current
I
AR
75
Repetitive Avalanche Energy
b
L = 0.1 mH
E
AR
280
mJ
T
C
= 25 C (TO-220AB and TO-263)
250
c
Power Dissipation
T
A
= 25 C (TO-263)
d
P
D
3.7
W
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 175
C
Parameter
Symbol
Limit
Unit
PCB Mount (TO-263)
d
40
Junction-to-Ambient
Free Air (TO-220AB)
R
thJA
62.5
C/W
Junction-to-Case
R
thJC
0.6
Notes
a.
b.
c.
d.
Package limited.
Duty cycle
See SOA curve for voltage derating.
When mounted on 1” square PCB (FR-4 material).
1%.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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SUP75N06-06 功能描述:MOSFET 60V 75A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUP75N06-07L 功能描述:MOSFET 60V 75A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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