參數(shù)資料
型號： SUP40N06-25L
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 60-V (D-S), 175 Degrees Celcious MOSFET, Logic Level
中文描述： N溝道60五（副），175度，Celcious MOSFET的邏輯電平
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 62K
代理商： SUP40N06-25L
SUP/SUB40N06-25L
Vishay Siliconix
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-4
Document Number: 70288
S-57253—Rev. C, 24-Feb-98
On-Resistance vs. Junction Temperature
Source-Drain Diode Forward Voltage
(
–
r
D
T
J
– Junction Temperature ( C)
V
SD
– Source-to-Drain Voltage (V)
–
I
S
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
175
100
10
1
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
V
GS
= 10 V
I
D
T
J
= 25 C
T
J
= 150 C
0
Safe Operating Area
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
–
I
D
200
10
0.1
0.1
1
10
100
Limited
by r
DS(on)
1
100
T
= 25 C
Single Pulse
1 ms
10 ms
100 ms
dc, 1 s
100 s
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Square Wave Pulse Duration (sec)
2
1
0.1
0.01
10
–5
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
N
T
3
Drain Current vs. Case Temperature
T
C
– Case Temperature ( C)
–
I
D
0
10
20
30
40
50
0
25
50
75
100
125
150
175
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SUB45N03-13L N-Channel 30-V (D-S), 175C MOSFET
SUB65P06-20 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
SUP65P06-20 P-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET
SUB75N05-06A N-CHANNEL 50-V (D-S), 175 MOSFET
SUP75N05-06A N-CHANNEL 50-V (D-S), 175 MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SUP40N06-25L-E3 功能描述:MOSFET 60V 40A 90W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUP40N10-30 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 100-V (D-S) 175C MOSFET
SUP40N10-30-E3 功能描述:MOSFET 100V 40A 107W 30mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUP40N10-30-GE3 功能描述:MOSFET N-CH D-S 100V TO220AB RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:TrenchFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
SUP40N10-35 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 105-V (D-S) 175C MOSFET
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