參數(shù)資料
型號： SUM60N08-07C
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Current-Sensing Power MOSFETs
中文描述： 電流感應功率MOSFET
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大小： 68K
代理商： SUM60N08-07C
AN606
Vishay Siliconix
www.vishay.com
4
Document Number: 71991
17-Dec-03
TABLE 2: Current Product Range
Part #
Channel Type
V
DS
(VDC)
r
DS
( )
I
DS
(A)
P
D
(W)
Package
Si6862DQ
N
20
0.026/4.5 V
6.6
1.8
TSSOP-8*
Si4730EY
N
30
0.015/10 V
11.7
3.6
SO-8*
SUM50N03-13LC
N
30
0.013/10 V
50
83
D
2
PAK-5
SUM60N08-07C
N
75
0.007/10 V
60
300
Recommended minimum pads for current-sensing MOSFETs in TSSOP-8 and SOIC-8 packages see application note AN826
(
).
相關PDF資料
PDF描述
SUM60N10-17 N-Channel 100-V (D-S) 175C MOSFET
SUM60P05-11LT P-Channel 55-V (D-S) MOSFET with Sensing Diode
SUM65N20-30 Power MOSFET
SUM70N04-07L N-Channel 40-V (D-S) 175ºC MOSFET
SUM75N06-09L 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
SUM60N08-07T 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET SPECIFICATIONS (TJ = 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
SUM60N10-17 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 100-V (D-S) 175C MOSFET
SUM60N10-17_08 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 100-V (D-S) 175 ∑C MOSFET
SUM60N10-17-E3 功能描述:MOSFET 100V 60A 150W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUM60N10-17-E3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET
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