參數(shù)資料
型號： SUB85N04-03
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
中文描述： 250 的低電流運(yùn)算，低反向泄露，低噪聲穩(wěn)壓二極管
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大?。?/td> 49K
代理商： SUB85N04-03
SUP/SUB85N06-05
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71113
S-20556
—
Rev. C, 22-Apr-02
www.vishay.com
2-5
THERMAL RATINGS
0
20
40
60
80
100
0
25
50
75
100
125
150
175
Safe Operating Area
V
DS
–
Drain-to-Source Voltage (V)
1000
10
0.1
1
10
100
Limited
by r
DS(on)
0.1
100
T
= 25 C
Single Pulse
Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
T
C
–
Ambient Temperature ( C)
–
I
D
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Square Wave Pulse Duration (sec)
2
1
0.1
0.01
10
–
4
10
–
3
10
–
2
10
–
1
1
N
T
10
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
–
I
D
1 ms
10 ms
100 ms
dc
10 s
100 s
1
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PDF描述
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參數(shù)描述
SUB85N04-03-E3 功能描述:MOSFET 40V 85A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUB85N04-04 功能描述:MOSFET 40V 85A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUB85N04-04-E3 功能描述:MOSFET 40V 85A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUB85N06-05 功能描述:MOSFET 60V 85A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUB85N06-05-E3 功能描述:MOSFET 60V 85A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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