參數(shù)資料
型號： SUB75N05-06
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 50-V (D-S), 175C MOSFET
中文描述： N溝道50五（副），175葷MOSFET的
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 78K
代理商： SUB75N05-06
SUP/SUB75N05-07
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 70871
S-60952—Rev. A, 19-Apr-99
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-3
0
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4000
6000
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250
0
2
4
6
8
10
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Capacitance
Gate Charge
Transconductance
On-Resistance vs. Drain Current
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
D
–
Q
g
– Total Gate Charge (nC)
I
D
– Drain Current (A)
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
G
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
–
g
f
25 C
–55 C
2, 3 V
T
C
= 125 C
V
GS
= 30 V
I
D
= 75 A
V
GS
= 5 thru 10 V
V
GS
= 10 V
C
iss
C
oss
C
rss
T
C
= –55 C
25 C
125 C
4 V
V
GS
= 4.5 V
–
r
D
)
–
I
D
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SUB75N06-12L N-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET
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參數(shù)描述
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SUB75N05-06-E3 功能描述:MOSFET 50V 75A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUB75N05-07 功能描述:MOSFET 55V 75A 158W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUB75N05-07-E3 功能描述:MOSFET 55V 75A 158W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUB75N06-06 功能描述:MOSFET 60V 75A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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