參數(shù)資料
型號(hào)： SUB70N03-09P
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 30-V (D-S), 175C, MOSFET PWM Optimized
中文描述： N溝道30 V的（副），175葷，MOSFET的脈寬調(diào)制優(yōu)化
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大?。?/td> 73K
代理商： SUB70N03-09P
SUP/SUB70N03-09P
Vishay Siliconix
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-4
Document Number: 70821
S-59917—Rev. A, 28-Sep-98
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
175
On-Resistance vs. Junction Temperature
Source-Drain Diode Forward Voltage
T
J
– Junction Temperature ( C)
V
SD
– Source-to-Drain Voltage (V)
–
I
S
100
10
1
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
V
GS
= 10 V
I
D
T
J
= 25 C
T
J
= 150 C
(
–
r
D
)
0
0
20
40
60
80
0
25
50
75
100
125
150
175
Safe Operating Area
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
500
10
0.1
1
10
100
Limited
by r
DS(on)
1
100
T
= 25 C
Single Pulse
Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
T
C
– Case Temperature ( C)
–
I
D
1 ms
10 ms
100 ms
dc
10 s
100 s
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Square Wave Pulse Duration (sec)
2
1
0.1
0.01
10
–5
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
N
T
3
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
–
I
D
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SUP70N03-09P N-Channel 30-V (D-S), 175C, MOSFET PWM Optimized
SUB70N06-14 N-Channel 60-V (D-S), 175 Degree Celcious MOSFET
SUP70N06-14 N-Channel 60-V (D-S), 175 Degree Celcious MOSFET
SUB75N03-07 N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET
SUB75N03-04 N-Channel 30-V (D-S), 175C MOSFET
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參數(shù)描述
SUB70N03-09P-E3 功能描述:MOSFET 30V 70A 93W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUB70N04-10 功能描述:MOSFET 40V 70A 120W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUB70N04-10-E3 功能描述:MOSFET 40V 70A 120W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUB70N06-14 功能描述:MOSFET 60V 70A 142W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUB70N06-14-E3 功能描述:MOSFET 60V 70A 142W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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