參數資料
型號： SUB70N03-09P
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 30-V (D-S), 175C, MOSFET PWM Optimized
中文描述： N溝道30 V的（副），175葷，MOSFET的脈寬調制優(yōu)化
文件頁數： 1/4頁
文件大?。?/td> 73K
代理商： SUB70N03-09P
SUP/SUB70N03-09P
Vishay Siliconix
Document Number: 70821
S-59917—Rev. A, 28-Sep-98
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-1
N-Channel 30-V (D-S), 175 C, MOSFET PWM Optimized
V
(BR)DSS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
30
0.009 @ V
GS
= 10 V
70
a
0.015 @ V
GS
= 4.5 V
55
D
G
S
N-Channel MOSFET
TO-220AB
Top View
G D S
SUP70N03-09
SUB70N03-09
TO-263
S
G
Top View
DRAIN connected to TAB
D
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
30
V
Gate-Source Voltage
V
GS
20
Continuous Drain Current
(T
J
= 175 C)
T
C
= 25 C
I
D
70
a
A
T
C
= 100 C
50
Pulsed Drain Current
I
DM
180
Avalanche Current
I
AR
45
Repetitive Avalanche Energy
b
L = 0.1 mH
E
AR
101
mJ
Power Dissipation
T
C
= 25 C
P
D
93
c
W
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 175
C
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Junction-to-Ambient
PCB Mount (TO-263)
d
R
thJA
40
C/W
Free Air (TO-220AB)
62.5
Junction-to-Case
R
thJC
1.6
Notes:
a.
b.
c.
d.
Package limited.
Duty cycle
See SOA curve for voltage derating.
When mounted on 1” square PCB (FR-4 material).
1%.
相關PDF資料
PDF描述
SUP70N03-09P N-Channel 30-V (D-S), 175C, MOSFET PWM Optimized
SUB70N06-14 N-Channel 60-V (D-S), 175 Degree Celcious MOSFET
SUP70N06-14 N-Channel 60-V (D-S), 175 Degree Celcious MOSFET
SUB75N03-07 N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET
SUB75N03-04 N-Channel 30-V (D-S), 175C MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
SUB70N03-09P-E3 功能描述:MOSFET 30V 70A 93W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUB70N04-10 功能描述:MOSFET 40V 70A 120W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUB70N04-10-E3 功能描述:MOSFET 40V 70A 120W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUB70N06-14 功能描述:MOSFET 60V 70A 142W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUB70N06-14-E3 功能描述:MOSFET 60V 70A 142W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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