參數(shù)資料
型號： SUB60N04-15LT
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
中文描述： 250 的低電流運算，低反向泄露，低噪聲穩(wěn)壓二極管
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 112K
代理商： SUB60N04-15LT
SUB60N04-15LT
Vishay Siliconix
New Product
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-4
Document Number: 70942
S-00718—Rev. C, 03-Apr-00
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Output Characteristics
Transfer Characteristics
Capacitance
Gate Charge
Transconductance
On-Resistance vs. Drain Current
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
D
–
Q
g
– Total Gate Charge (nC)
I
D
– Drain Current (A)
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
G
I
D
– Drain Current (A)
–
g
f
25 C
125 C
1, 2 V
T
C
= –55 C
V
GS
= 20 V
I
D
V
GS
= 10 thru 7 V
V
GS
= 10 V
C
iss
C
oss
C
rss
T
C
= –55 C
25 C
125 C
4 V
V
GS
= 4.5 V
–
r
D
)
–
I
D
3 V
5 V
6 V
相關PDF資料
PDF描述
SUB70N03-09BP Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
SUB70N04-10 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 70A I(D) | TO-263AB
SUP70N04-10 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 70A I(D) | TO-220AB
SUD40N06-24 Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
SUU40N06-24 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 37A I(D) | TO-251
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
SUB60N06-18 功能描述:MOSFET 60V 60A 120W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUB60N06-18-E3 功能描述:MOSFET 60V 60A 120W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUB61/6100A/100R/ 制造商:Eurotherm Inc 功能描述:SHUNT RESISTOR, Sensing Element:-, Operating Temperature Min:0C, Operating Temp
SUB61/6100A/250R/ 制造商:Eurotherm Inc 功能描述:SHUNT RESISTOR, Sensing Element:-, Operating Temperature Min:0C, Operating Temp
SUB610 制造商:AUK 制造商全稱:AUK corp 功能描述:Schottky Barrier Diode
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