參數(shù)資料
型號(hào): STY100NS20FD
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: N-CHANNEL 200V - 0.022ohm - 100A Max247 MESH OVERLAY⑩ Power MOSFET
中文描述: N溝道200伏- 0.022ohm - 100號(hào)A Max247網(wǎng)眼密胺⑩功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù): 4/8頁(yè)
文件大小: 260K
代理商: STY100NS20FD
STY100NS20FD
4/8
Capacitance Variations
Transconductance
Static Drain-source On Resistance
Transfer Characteristics
Output Characteristics
Gate Charge vs Gate-source Voltage
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SW-276B High Power GaAs SPDT Switch DC - 3.0 GHz
SW-276G High Power GaAs SPDT Switch DC - 3.0 GHz
SW-276T1 High Power GaAs SPDT Switch DC - 3.0 GHz
SW-369 GaAs Matched SP4T Switch 0.02-2 GHz
SW-369PIN GaAs Matched SP4T Switch 0.02-2 GHz
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STY100NS20FD_06 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 200V - 0.022Ω - 100A - Max247 MESH OVERLAY? Power MOSFET
STY105NM50N 功能描述:MOSFET N-Ch 500V 0.018 Ohm 110A Mdmesh II FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STY112N65M5 功能描述:MOSFET N-Channel 650V 93A 0.019 Ohm Mdmesh V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STY130NF20D 功能描述:MOSFET N-Ch 200V 0.01 Ohm 130A STripFET II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STY139N65M5 功能描述:MOSFET N-Ch 650V 0.014 Ohm Mdmesh V 130A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube