參數(shù)資料
型號： STY100NS20FD
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 200V - 0.022ohm - 100A Max247 MESH OVERLAY⑩ Power MOSFET
中文描述： N溝道200伏- 0.022ohm - 100號A Max247網(wǎng)眼密胺⑩功率MOSFET
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 260K
代理商： STY100NS20FD
3/8
STY100NS20FD
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(CONTINUED)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
t
d(on)
Turn-on Delay Time
SWITCHING OFF
Symbol
t
r(Voff)
t
f
t
c
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
Note: 1.
Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
2. Pulse width limited by safe operating area.
Test Conditions
V
DD
= 100V, I
D
= 50A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10V
(see test circuit, Figure 3)
V
DD
= 100V, I
D
= 100A,
V
GS
= 10V
Min.
Typ.
Max.
Unit
42
ns
t
r
Rise Time
140
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
360
nC
Gate-Source Charge
35
nC
Gate-Drain Charge
135
nC
Parameter
Test Conditions
V
DD
= 100V, I
D
= 100A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10V
(see test circuit, Figure 5)
Min.
Typ.
Max.
Unit
Off-voltage Rise Time
245
ns
Fall Time
140
ns
Cross-over Time
220
ns
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Source-drain Current
100
A
Source-drain Current (pulsed)
400
A
Forward On Voltage
I
SD
= 100A, V
GS
= 0
I
SD
= 100A, di/dt = 100A/μs,
V
DD
= 160V, T
j
= 150°C
(see test circuit, Figure 5)
1.6
V
Reverse Recovery Time
225
ns
Reverse Recovery Charge
1.35
μC
Reverse Recovery Current
12
A
Safe Operating Area
Thermal Impedance
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