參數(shù)資料
型號(hào)： STW240NF55
英文描述： N-CHANNEL 55V - 0.0027 OHM - 120A TO-247 STRIPFET II POWER MOSFET
中文描述： N溝道55V的- 0.0027歐姆- 120A條至247 STRIPFET二功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 1/8頁(yè)
文件大小： 305K
代理商： STW240NF55
1/8
October 2003
STW240NF55
N-CHANNEL 55V - 0.0027
- 120A TO-247
STripFET II POWER MOSFET
I
TYPICAL R
DS
(on) = 0.0027
I
STANDARD THRESHOLD DRIVE
I
100% AVALANCHE TESTED
DESCRIPTION
This Power MOSFET is the latest development of
STMicroelectronis unique "Single Feature Size" strip-
based process. The resulting transistor shows extremely
high packing density for low on-resistance, rugged
avalanche characteristics and less critical alignment
steps
therefore
a
remarkable
reproducibility.
manufacturing
APPLICATIONS
I
HIGH CURRENT, HIGH SWITCHING SPEED
I
OR-ING FUNCTION
Ordering Information
SALES TYPE
STW240NF55
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
I
D
(1)
STW240NF55
55V
<0.0035
120A
MARKING
W240NF55
PACKAGE
TO-247
PACKAGING
TUBE
123
TO-247
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
DS
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
V
DGR
Drain-gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
V
GS
Gate- source Voltage
I
D
(1
)
Drain Current (continuous) at T
C
= 25°C
I
D
(1
)
Drain Current (continuous) at T
C
= 100°C
I
DM
(
)
Drain Current (pulsed)
P
tot
Total Dissipation at T
C
= 25°C
Derating Factor
dv/dt
(2)
Peak Diode Recovery voltage slope
E
AS(3)
Single Pulse Avalanche Energy
T
stg
Storage Temperature
T
j
Operating Junction Temperature
(
)
Pulse width limited by safe operating area.
(1)Current Limited by Package
(2) I
≤
120A, di/dt
≤
600A/μs, V
DD
≤
48V, T
j
≤
T
JMAX.
(3) Starting T
j
= 25
o
C, I
D
= 60A, V
DD
= 30V
Parameter
Value
55
55
± 20
120
120
480
500
3.33
5
3.5
Unit
V
V
V
A
A
A
W
W/°C
V/ns
J
-55 to 175
°C
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STW44NM60 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 44A I(D) | TO-247AA
STZ01C3FC2 FIBER OPTIC RECEIVER
STZ01C3FC3 FIBER OPTIC RECEIVER
STZ01C3SC FIBER OPTIC RECEIVER
STZ01C3ST FIBER OPTIC RECEIVER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STW24N60DM2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh? II Plus 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:18A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:200 毫歐 @ 9A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:29nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1055pF @ 100V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30
STW24N60M2 功能描述:MOSFET N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh II Plus RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW24NK55Z 功能描述:MOSFET N-channel 550V Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW24NM60N 功能描述:MOSFET N-Ch 600V 0.18 Ohm 17A MDmesh II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW24NM65N 功能描述:MOSFET N-channel 650V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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