參數(shù)資料
型號： STW18NB40FI
廠商： 意法半導體
英文描述： N-CHANNEL 400V - 0.19ohm - 18.4A TO-247/ISOWATT218 PowerMESH MOSFET
中文描述： N溝道400V - 0.19ohm - 18.4A TO-247/ISOWATT218 PowerMESH MOSFET的
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文件大小： 142K
代理商： STW18NB40FI
STW18NB40/STH18NB40FI
2/7
THERMAL DATA
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max)
E
AS
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25 °C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TCASE
= 25 °C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
OFF
Symbol
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating, T
C
= 125 °C
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
ON
(1)
Symbol
V
GS(th)
R
DS(on)
DYNAMIC
Symbol
g
fs
(1)
TO-247
0.66
ISOWATT218
1.56
Rthj-case
Rthj-amb
Rthc-sink
T
l
Thermal Resistance Junction-case Max
Thermal Resistance Junction-ambient Max
Thermal Resistance Case-sink Typ
°C/W
°C/W
°C/W
30
0.1
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
300
°C
Parameter
Max Value
18.4
Unit
A
450
mJ
Test Conditions
I
D
= 250 μA, V
GS
= 0
Min.
400
Typ.
Max.
Unit
V
V
DS
= Max Rating
1
μA
50
μA
V
GS
= ±30V
±100
nA
Parameter
Test Conditions
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 μA
V
GS
= 10V, I
D
= 6.2 A
Min.
Typ.
Max.
Unit
Gate Threshold Voltage
3
4
5
V
Static Drain-source On
Resistance
0.19
0.26
I
D(on)
On State Drain Current
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max,
V
GS
= 10V
18.4
A
Parameter
Test Conditions
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max,
I
D
= 9.2 A
V
DS
= 25V, f = 1 MHz, V
GS
= 0
Min.
Typ.
9.3
Max.
Unit
S
Forward Transconductance
C
iss
C
oss
Input Capacitance
2480
pF
Output Capacitance
435
pF
C
rss
Reverse Transfer
Capacitance
47
pF
相關PDF資料
PDF描述
STW18NB40 N-CHANNEL 400V - 0.19ohm - 18.4A TO-247/ISOWATT218 PowerMESH MOSFET
STH18NB40 N-CHANNEL 400V - 0.19ohm - 18.4A TO-247/ISOWATT218 PowerMESH MOSFET
STW18NK80Z N-CHANNEL 800V - 0.34W - 19A TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
STW200NF03 N-CHANNEL 30V - 0.002 ohm - 120A TO-247 ULTRA LOW ON-RESISTANCE STripFET⑩ II MOSFET
STW3100 TRANSCEIVER MODULE
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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STW18NK80Z 功能描述:MOSFET N-Ch 800 Volt 18 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STW18NK80Z_06 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 800V - 0.34ヘ - 19A - TO-247 Zener-protected SuperMESH⑩ Power MOSFET
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STW18NM60ND 制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER MOSFET - Rail/Tube 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO-247 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N chan, 600V, 80A, 250 mOhms, TO247 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Single N-Channel 650 V 0.29 Ohm 130 W Through Hole Power Mosfet - TO-247 制造商:STMicroelectronics 功能描述:STW18NM60N Series N-Channel 650 V 0.285 Ohm Mdmesh II Power MosFet - TO-247 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.25Ohm 13A Fdmesh II 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Power MOSFET Nchannel FDmesh II 600V 13A
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