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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | STW16NA60 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式快速功率MOS晶體管) |
| 中文描述： | N溝道增強(qiáng)模式快速功率MOS晶體管（不適用溝道增強(qiáng)模式快速功率馬鞍山晶體管） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 74K |
| 代理商： | STW16NA60 |
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Time
Rise Time
V
DD
= 300 V I
D
= 8 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
(see test circuit, figure 3)
V
DD
= 480 V I
D
= 16 A
R
G
= 47
V
GS
= 10 V
(see test circuit, figure 5)
V
DD
= 480 V I
D
= 16 A V
GS
= 10 V
25
21
30
25
ns
ns
(di/dt)
on
Turn-on Current Slope
240
A/
μ
s
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
155
18
78
200
nC
nC
nC
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
r(Voff)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
V
DD
= 480 V I
D
= 16 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
(see test circuit, figure 5)
45
20
66
50
25
80
ns
ns
ns
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
Forward On Voltage
16
64
A
A
V
SD
(
)
I
SD
= 16 A V
GS
= 0
1.6
V
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
I
SD
= 16 A di/dt = 100 A/
μ
s
V
DD
= 100 V T
j
= 150
o
C
(see test circuit, figure 5)
770
17
45
ns
μ
C
A
(
) Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
(
) Pulse width limited by safe operating area
STW16NA60
3/5
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STW16NK60Z | N-CHANNEL 600V - 0.38з - 14A TO-220 / I2SPAK / TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩ MOSFET |
| STP16NK60Z | N-CHANNEL 600V - 0.38з - 14A TO-220 / I2SPAK / TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩ MOSFET |
| STB16NK60Z-S | N-CHANNEL 600V - 0.38з - 14A TO-220 / I2SPAK / TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩ MOSFET |
| STP16NK60Z-S | N-CHANNEL 600V - 0.38з - 14A TO-220 / I2SPAK / TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩ MOSFET |
| STP16NK65Z-S | N-CHANNEL 600V - 0.38з - 14A TO-220 / I2SPAK / TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩ MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STW16NB60 | 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 16 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STW16NK60Z | 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 14 Amp Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STW16NM50N | 功能描述:MOSFET N Ch 600V 0.35 Ohm 10A Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STW17N62K3 | 功能描述:MOSFET N-Ch 620V .34 Ohm 15A SuperMESH3 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STW18N60DM2 | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 12A 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? DM2 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:12A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:295 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:800pF @ 100V 功率 - 最大值:90W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 |
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