參數(shù)資料
型號： STU13NC50
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 500V - 0.31ohm - 13A Max220 PowerMesh⑩II MOSFET
中文描述： N溝道500V - 0.31ohm - 13A條Max220 PowerMesh第二MOSFET的⑩
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大?。?/td> 258K
代理商： STU13NC50
1/8
October 2001
STU13NC50
N-CHANNEL 500V - 0.31
- 13A Max220
PowerMeshII MOSFET
I
TYPICAL R
DS
(on) = 0.31
I
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY
I
100% AVALANCHE TESTED
I
NEW HIGH VOLTAGE BENCHMARK
I
GATE CHARGE MINIMIZED
DESCRIPTION
The PowerMESH
II is
the evolution of the first
generation of MESH OVERLAY
.
The layout re-
finements introduced greatly improve the Ron*area
figure of merit while keeping the device at the lead-
ing edge for what concerns swithing speed, gate
charge and ruggedness.
APPLICATIONS
I
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
I
UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLIES (UPS)
I
DC-AC CONVERTERS FOR TELECOM,
INDUSTRIAL, AND LIGHTING EQUIPMENT
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
DS
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
V
DGR
Drain-gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
V
GS
Gate- source Voltage
I
D
Drain Current (continuos) at T
C
= 25°C
I
D
Drain Current (continuos) at T
C
= 100°C
I
DM
(
G
)
Drain Current (pulsed)
P
TOT
Total Dissipation at T
C
= 25°C
Derating Factor
dv/dt(1)
Peak Diode Recovery voltage slope
T
stg
Storage Temperature
T
j
Max. Operating Junction Temperature
()Pulse width limited by safe operating area
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
I
D
STU13NC50
500V
< 0.4
13 A
Parameter
Value
Unit
500
V
500
V
±30
V
13
A
8
A
52
A
160
W
1.28
3.5
W/°C
V/ns
–65 to 150
°C
150
°C
(1)I
SD
≤
13A, di/dt
≤
130A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
, T
j
≤
T
JMAX.
123
Max220
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STU16NB50I TRANSISTOR MOSFET MAX-220
STU16NB50 N-CHANNEL 500V - 0.28ohm - 15.6A-Max220 PowerMESH MOSFET
STV0196 QPSK/BPSK DEMODULATOR AND FEC IC
STV0680-001 Low Cost Digital Camera (LCDC) Chipset
STV0680A-002 Low Cost Digital Camera (LCDC) Chipset
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STU13NM60N 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-Channel 650V 11A IPAK
STU14NA50 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STU150N3LLH6 功能描述:MOSFET N-CH 30V STripFET 80A DEEPGATE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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