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STU16N60M2

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • STU16N60M2
    STU16N60M2

    STU16N60M2

    現(xiàn)貨
  • 上海航霆電子技術(shù)有限公司
    上海航霆電子技術(shù)有限公司

    聯(lián)系人：林生18701789587

    電話：0755-8374259418701789587

    地址：上海徐匯區(qū)漕溪路222號(hào)航天大廈16層

  • 17925

  • STM

  • SOP

  • 19+

  • -

  • 全新原廠原裝正品，只做原裝，可開增票

  • STU16N60M2
    STU16N60M2

    STU16N60M2

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8650000

  • ST

  • TO-251

  • 最新批號(hào)

  • -

  • 一級代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

  • STU16N60M2
    STU16N60M2

    STU16N60M2

  • 深圳市芯馳科技有限公司
    深圳市芯馳科技有限公司

    聯(lián)系人：丁皓鵬

    電話：1866538497818124166365

    地址：福田街道深南中路3029號(hào)南光捷佳大廈2331

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 17925

  • STM

  • TO-251-3 (IPAK)

  • 19+

  • -

  • 原裝現(xiàn)貨，假一賠百,支持實(shí)單

  • STU16N60M2
    STU16N60M2

    STU16N60M2

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯(lián)系人：張小姐

    電話：1501927513013823545558

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路華強(qiáng)廣場D座16層18B

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 3000

  • ST/意法

  • NA

  • 23+

  • -

  • 可訂貨，請確認(rèn)

  • STU16N60M2
    STU16N60M2

    STU16N60M2

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • 1/1頁 40條/頁 共19條 
  • 1
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  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 600V 12A IPAK
  • 制造商
  • stmicroelectronics
  • 系列
  • MDmesh? M2
  • 包裝
  • 管件
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類型
  • MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 功能
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓（Vdss）
  • 600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
  • 12A（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
  • 320 毫歐 @ 6A，10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
  • 4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）
  • 19nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）
  • 700pF @ 100V
  • 功率 - 最大值
  • 110W
  • 工作溫度
  • 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • IPAK（TO-251）
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 75
STU16N60M2 技術(shù)參數(shù)
  • STU150N3LLH6 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.3 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:40nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4040pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:I-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 STU13N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 10A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:10A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:430 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:590pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:IPAK（TO-251） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 STU13N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 11A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:11A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:380 毫歐 @ 5.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:580pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:IPAK（TO-251） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 STU13005N 功能描述:TRANS NPN 400V 3A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:5V @ 750mA，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:10 @ 1A，5V 功率 - 最大值:30W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:I-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 STU12N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 8.5A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:8.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:430 毫歐 @ 4.3A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:22nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:900pF @ 100V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:I-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 STU2NK100Z STU3LN62K3 STU3LN80K5 STU3N45K3 STU3N62K3 STU3N65M6 STU3N80K5 STU40N2LH5 STU4N52K3 STU4N62K3 STU4N80K5 STU5N52K3 STU5N60M2 STU5N62K3 STU5N65M6 STU5N95K3 STU5N95K5 STU60N3LH5
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