參數(shù)資料
型號： STTH61R04TV2
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 整流器
英文描述： 30 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ISOTOP-4
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大?。?/td> 121K
代理商： STTH61R04TV2
Characteristics
STTH61R04TV
4/7
Figure 5.
Reverse recovery time versus
dIF/dt (typical values)
Figure 6.
Reverse recovery charges versus
dIF/dt (typical values)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
130
140
150
160
10
100
1000
t
RR(ns)
I
F= 60A
V
R=200V
T
j=125 °C
T
j=25 °C
dIF/dt(A/s)
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
550
600
10
100
1000
Q
RR(nC)
I
F= 30 A
V
R=320V
T
j=125 °C
T
j=25 °C
dIF/dt(A/s)
Figure 7.
Relative variations of dynamic
parameters versus junction
temperature
Figure 8.
Transient peak forward voltage
versus dIF/dt (typical values)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
25
50
75
100
125
150
I
RM
Q
RR
I
F= 100A
V
R=320V
Tj(°C)
Q
[T ]/Q
[T = 125° C] and I
RR
j
RR
j
RM
j
RM
j
[T ]/I
[T = 125° C]
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
V
Fp(V)
I
F=30A
T
j=125°C
dIF/dt(A/s)
Figure 9.
Forward recovery time versus dIF/dt
(typical values)
Figure 10.
Junction capacitance versus
reverse voltage applied (typical
values)
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
0
100
200
300
400
500
t
FR(ns)
I
F=30A
V
FR=1.1 x VF max.
T
j=125°C
dIF/dt(A/s)
10
100
1000
1
10
100
1000
C(pF)
F=1MHz
VOSC=30mVRMS
Tj=25°C
VR(V)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STVD901J UHF BAND, 4 pF, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE
SV6125US TVS DIODE
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參數(shù)描述
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