- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄62721 > STTH61R04TV2 (STMICROELECTRONICS) 30 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | STTH61R04TV2 |
| 廠商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 30 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ISOTOP-4 |
| 文件頁數(shù)： | 3/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 121K |
| 代理商： | STTH61R04TV2 |
STTH61R04TV
Characteristics
3/7
Table 4.
Dynamic characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ
Max.
Unit
trr
Reverse recovery time
IF = 1 A, dIF/dt = -50 A/s,
VR = 30 V, Tj = 25° C
65
ns
IF = 1 A, dIF/dt = -100 A/s,
VR = 30 V, Tj = 25° C
31
45
IF = 1 A, dIF/dt = -200 A/s,
VR = 30 V, Tj = 25° C
24
35
IRM
Reverse recovery current
IF = 30 A, dIF/dt = -200 A/s,
VR = 320 V, Tj = 125° C
10
14
A
S
Softness factor
IF = 30 A, dIF/dt = -200 A/s,
VR = 320 V, Tj = 125° C
0.4
tfr
Forward recovery time
IF = 30 A
dIF/dt = 100 A/s
VFR = 1.5 x VFmax, Tj = 25° C
250
ns
VFP
Forward recovery voltage
IF = 30 A, dIF/dt = 100 A/s,
Tj = 25° C
2.9
V
Figure 1.
Conduction losses versus
average current
Figure 2.
Forward voltage drop versus
forward current
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0
5
10
15
20
25
30
35
40
P(W)
δ=0.05
δ=0.1
δ=0.2
δ=0.5
δ=1
T
δ=tp/T
tp
IF(AV)(A)
I
FM(A)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
T
J=150°C
(Maximum values)
T
J=150°C
(Maximum values)
T
J=150°C
(Typical values)
T
J=150°C
(Typical values)
T
J=25°C
(Maximum values)
T
J=25°C
(Maximum values)
VFM(V)
Figure 3.
Relative variation of thermal
impedance junction to case
versus pulse duration
Figure 4.
Peak reverse recovery current
versus dIF/dt (typical values)
0.1
1.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
Z
th(j-c)/Rth(j-c)
Single pulse
ISOTOP
tp(s)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
10
100
1000
I
RM(A)
I
F= 30A
V
R=200V
T
j=125 °C
T
j=25 °C
dIF/dt(A/s)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STVD901J | UHF BAND, 4 pF, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| SV6125US | TVS DIODE |
| SVC341L | 461.5 pF, 16 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| SVC342M | 16 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, TO-92 |
| SVC344 | 430 pF, 30 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, TO-92 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STTH61W04S | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:Turbo 2 ultrafast high voltage rectifier |
| STTH61W04SW | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關 Turbo 2 ultrafast 60A 400V 40ns 0.93VF RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| STTH75S12W | 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 75A DO247 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV） 電流 - 平均整流（Io）:75A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:3.2V @ 75A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:55ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 1200V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-247-2（直引線） 供應商器件封裝:DO-247 工作溫度 - 結:-40°C ~ 175°C 標準包裝:30 |
| STTH8003 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:HIGH FREQUENCY SECONDARY RECTIFIERS |
| STTH8003CY | 功能描述:整流器 2X40 Amp 300 Volt RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。