參數(shù)資料
型號： STTH6006CW
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 整流器
英文描述： 30 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AC
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 138K
代理商： STTH6006CW
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IF(av) (A)
P1(W)
T
δ=tp/T
tp
δ = 1
δ = 0.5
δ = 0.2
δ = 0.1
δ = 0.05
Fig. 1: Conduction losses versus average current
(per diode).
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6
1
10
100
VFM(V)
IFM(A)
Tj=125°C
Typical values
Tj=25°C
Maximum values
Tj=125°C
Maximum values
Fig. 2: Forward voltage drop versus forward
current (maximum values
, per diode).
0
50 100 150 200 250 300 350 400 450 500
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
trr(ns)
VR=200V
Tj=125°C
IF=2*IF(av)
IF=IF(av)
IF=0.5*IF(av)
dIF/dt(A/s)
Fig. 5: Reverse recovery time versus dIF/dt (90%
confidence, per diode).
0
50 100 150 200 250 300 350 400 450 500
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
dIF/dt(A/s)
IRM(A)
VR=200V
Tj=125°C
IF=2*IF(av)
IF=IF(av)
IF=0.5*IF(av)
Fig. 4:
Peak reverse recovery current versus
dIF/dt (90% confidence, per diode).
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
tp(s)
Zth(j-c)/Rth(j-c)
T
δ=tp/T
tp
Single pulse
δ = 0.5
δ = 0.2
δ = 0.1
Fig. 3a: Relative variation of thermal impedance
junction to case versus pulse duration (ISOTOP).
1E-4
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Zth(j-c)/Rth(j-c)
T
δ=tp/T
tp
tp(s)
Single pulse
δ = 0.5
δ = 0.2
δ = 0.1
Fig. 3b: Relative variation of thermal impedance
junction to case versus pulse duration (TO-247).
STTH6003TV/CW
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PDF描述
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