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參數(shù)資料
| 型號： | STTH506DTI |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | Tandem 600V HYPERFAST BOOST DIODE |
| 中文描述： | 串聯(lián)600V的HYPERFAST升壓二極管 |
| 文件頁數(shù)： | 4/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 53K |
| 代理商： | STTH506DTI |
STTH506TDI
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0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
2.25
2.50
25
50
75
100
125
T (°C)
I =I
V =400V
Reference:T=125°C
j
I
RM
S
Fig. 8:
Relative variation of dynamic parameters
versusjunctiontemperature(reference:Tj=125°C).
V
(V)
FP
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
I =I
j
F
F(AV)
dI /dt(A/μs)
Fig. 9:
Transient peak forward voltage versus
d
I
F
/dt (typical values).
t (ns)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
0
100
200
300
400
500
I =I
F
=1.1 x V max.
FR
T=125°C
F(AV)
V
F
dI /dt(A/μs)
Fig. 10:
(typical values).
Forward recovery time versus d
I
F
/dt
S
0.20
0.30
0.40
0.50
0.60
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
I =I
F
V =400V
T=125°C
j
F(AV)
dI /dt(A/μs)
Fig. 7:
Reverse recovery softness factor versus
d
I
F
/dt (typical values).
C(pF)
1
10
100
1
10
100
1000
V (V)
F=1MHz
=30mV
T=25°C
j
V
OSC
RMS
Fig. 11:
Junction capacitance versus reverse
voltage applied (typical values).
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STTH512 | Ultrafast recovery - 1200 V diode |
| STTH512B | Ultrafast recovery - 1200 V diode |
| STTH512B-TR | Ultrafast recovery - 1200 V diode |
| STTH512D | Ultrafast recovery - 1200 V diode |
| STTH512FP | Ultrafast recovery - 1200 V diode |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| STTH50W06S | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:Turbo 2 ultrafast high voltage rectifier |
| STTH50W06SW | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關 Turbo 2 ultrafast 50A 600V 34ns 1.25VF RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
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