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參數(shù)資料
| 型號： | STTH506DTI |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | Tandem 600V HYPERFAST BOOST DIODE |
| 中文描述： | 串聯(lián)600V的HYPERFAST升壓二極管 |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 53K |
| 代理商： | STTH506DTI |
STTH506DTI
3/5
P(W)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0
1
2
3
4
5
6
7
I
(A)
F(AV)
T
δ
=tp/T
tp
δ
= 1
δ
= 0.05
δ
= 0.1
δ
= 0.2
δ
= 0.5
Fig.1:
Conductionlossesversusaveragecurrent.
I
(A)
FM
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0
1
2
3
4
5
6
7
8
j
(maxT=25°C
T=125°C
(maximum values)
T=125°C
(typical values)
V
(V)
FM
Fig. 2:
Forward voltage drop versus forward
current.
Z
/R
th(j-c)
th(j-c)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
T
δ
=tp/T
tp
t (s)
δ
= 0.5
δ
= 0.2
δ
= 0.1
Single pulse
Fig. 3:
Relative variation of thermal impedance
junction to case versus pulse duration.
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
t (ns)
V =400V
T=125°C
j
R
dI /dt(A/μs)
I =2 x I
F(AV)
I =I
F
F(AV)
I =0.5 x I
F
F(AV)
Fig. 5:
(typical values).
Reverse recovery time versus d
I
F
/dt
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
I
(A)
RM
V =400V
T=125°C
j
dI /dt(A/μs)
I =I
F
F(AV)
I =0.5 x I
F
F(AV)
I =0.25 x I
F
F(AV)
I =2 x I
F(AV)
Fig. 4:
d
I
F
/dt (typical values).
Peak reverse recovery current versus
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
Q (nC)
V =400V
T=125°C
j
I =2 x I
F
F(AV)
I =I
F
F(AV)
I =0.5 x I
F(AV)
dI /dt(A/μs)
Fig. 6:
Reverse recovery charges versus dI
F
/dt
(typical values).
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STTH512 | Ultrafast recovery - 1200 V diode |
| STTH512B | Ultrafast recovery - 1200 V diode |
| STTH512B-TR | Ultrafast recovery - 1200 V diode |
| STTH512D | Ultrafast recovery - 1200 V diode |
| STTH512FP | Ultrafast recovery - 1200 V diode |
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參數(shù)描述 |
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