參數(shù)資料
型號： STTH4R02U
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： Ultrafast recovery diode
中文描述： 超快恢復(fù)二極管
文件頁數(shù)： 5/13頁
文件大?。?/td> 130K
代理商： STTH4R02U
STTH4R02
Characteristics
5/13
Junction capacitance versus
reverse applied voltage (typical
values)
Reverse recovery time versus dI
F
/dt
(typical values)
Dynamic parameters versus
junction temperature
Figure 9.
Figure 10.
Reverse recovery charges versus
dI
F
/dt (typical values)
10
100
1
10
100
1000
C(pF)
F=1MHz
V
osc
=30mV
RMS
T
j
=25°C
V
R
(V)
0
20
40
60
80
100
120
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
Q
RR
(nC)
I
=4A
V
R
=160V
T
j
=125°C
T
j
=25°C
dI
F
/dt(A/μs)
Figure 11.
Figure 12.
Peak reverse recovery current
versus dI
F
/dt (typical values)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
10
100
1000
t
RR
(ns)
I
=4A
V
R
=160V
T
j
=125°C
T
j
=25°C
dI
F
/dt(A/μs)
0
2
4
6
8
10
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
I
RM
(A)
I
=4A
V
R
=160V
T
j
=125°C
T
j
=25°C
dI
F
/dt(A/μs)
Figure 13.
Figure 14.
Thermal resistance, junction to
ambient, versus copper surface
under tab - DPAK (Epoxy printed
circuit board FR4, e
CU
= 35 μm)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
25
50
75
100
125
150
Q
RR
; I
RM
[T
j
] / Q
RR
; I
RM
[T
j
=125°C]
I
RM
Q
RR
I
F
=4A
V
R
=160V
T
j
(°C)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0
5
10
15
20
25
30
35
40
R
th(j-a)
(°C/W)
DPAK
S
CU
(cm2)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STTH506DTI Tandem 600V HYPERFAST BOOST DIODE
STTH512 Ultrafast recovery - 1200 V diode
STTH512B Ultrafast recovery - 1200 V diode
STTH512B-TR Ultrafast recovery - 1200 V diode
STTH512D Ultrafast recovery - 1200 V diode
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參數(shù)描述
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