參數(shù)資料
型號： STTH312B
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： Ultrafast recovery - 1200 V diode
中文描述： 超快恢復(fù)-型1,200 V二極管
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 94K
代理商： STTH312B
Characteristics
STTH312
4/8
Reverse recovery time versus
dI
F
/dt (typical values)
Softness factor versus
dI
F
/dt (typical values)
Transient peak forward voltage
versus dI
F
/dt (typical values)
Figure 5.
Figure 6.
Reverse recovery charges versus
dI
F
/dt (typical values)
0
50
100
150
200
250
300
350
400
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
t (ns)
dI /dt(A/μs)
I =2 x I
F
F(AV)
I =I
F
F(AV)
I =0.5 x I
F
F(AV)
V =600V
T=125°C
j
R
0
200
400
600
800
1000
1200
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
Q (nC)
dI /dt(A/μs)
V =600V
T=125°C
j
R
I =2 x I
F(AV)
I =I
F
F(AV)
I =0.5 x I
F
F(AV)
Figure 7.
Figure 8.
Relative variations of dynamic
parameters versus junction
temperature
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
S factor
dI /dt(A/μs)
I
V =600V
R
2xI
T=125°C
j
F
F(AV)
≤
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
2.25
2.50
25
50
75
100
125
I
RM
Q
RR
S factor
T (°C)
I =I
F
V =600V
R
Reference:T=125°C
F(AV)
t
rr
Figure 9.
Figure 10.
Forward recovery time versus dI
F
/dt
(typical values)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
275
300
V
(V)
FP
dI /dt(A/μs)
I =I
T=125°C
0
100
200
300
400
500
600
700
0
100
200
300
400
500
t (ns)
dI /dt(A/μs)
I =I
F
=1.5 x V max.
T=125°C
F(AV)
V
FR
F
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STTH312B-TR Ultrafast recovery - 1200 V diode
STTH3R02 Ultrafast recovery diode
STTH3R02Q Ultrafast recovery diode
STTH3R02QRL Ultrafast recovery diode
STTH3R02RL Ultrafast recovery diode
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參數(shù)描述
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STTH31AC06SPF 功能描述:TURBO 2 ULTRASOFT HIGH VOLTAGE R 制造商:stmicroelectronics 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:900
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STTH3L06 功能描述:整流器 3.0 Amp 600 Volt RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
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