參數(shù)資料
型號： STTH312B
廠商： 意法半導體
英文描述： Ultrafast recovery - 1200 V diode
中文描述： 超快恢復-型1,200 V二極管
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 94K
代理商： STTH312B
Characteristics
STTH312
2/8
1
Characteristics
Absolute ratings (limiting values at 25° C, unless otherwise specified)
Thermal parameter
Static electrical characteristics
To evaluate the conduction losses use the following equation: P =
1.4
x I
F(AV)
+
0.1
I
F2(RMS)
Table 1.
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
RRM
Repetitive peak reverse voltage
1200
V
I
F(RMS)
RMS forward current
6
A
I
F(AV)
Average forward current,
δ
= 0.5
T
c
= 150° C
3
A
I
FRM
Repetitive peak forward current
t
p
= 5 μs, F = 5 kHz square
35
A
I
FSM
Surge non repetitive forward current
t
p
= 10 ms Sinusoidal
35
A
T
stg
Storage temperature range
-65 to + 175
°C
T
j
Maximum operating junction temperature
175
°C
Table 2.
Symbol
Parameter
Value
Unit
R
th(j-c)
Junction to case
3.8
°C/W
Table 3.
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ
Max.
Unit
I
R(1)
Reverse leakage current
T
j
= 25° C
V
R
= V
RRM
10
μA
T
j
= 125° C
2
100
V
F(2)
Forward voltage drop
T
j
= 25° C
I
F
= 3 A
2
V
T
j
= 125° C
1.20
1.7
T
j
= 150° C
1.15
1.65
1.
Pulse test: t
p
= 5 ms,
δ
< 2 %
Pulse test: t
p
= 380 μs,
δ
< 2 %
2.
相關PDF資料
PDF描述
STTH312B-TR Ultrafast recovery - 1200 V diode
STTH3R02 Ultrafast recovery diode
STTH3R02Q Ultrafast recovery diode
STTH3R02QRL Ultrafast recovery diode
STTH3R02RL Ultrafast recovery diode
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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