參數(shù)資料
型號(hào)： STTH200R04TV1
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： Ultrafast recovery diode
中文描述： 超快恢復(fù)二極管
文件頁(yè)數(shù)： 4/7頁(yè)
文件大?。?/td> 96K
代理商： STTH200R04TV1
Characteristics
STTH200R04TV
4/7
Reverse recovery time versus
dI
F
/dt (typical values)
Relative variations of dynamic
parameters versus junction
temperature
Forward recovery time versus dI
F
/dt
(typical values)
Figure 5.
Figure 6.
Reverse recovery charges versus
dI
F
/dt (typical values)
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
275
300
10
100
1000
t
RR
(ns)
I
F
= 100A
V
R
=320V
T
j
=125 °C
T
j
=25 °C
dI
F
/dt(A/μs)
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
5000
0
100
200
300
400
500
t
FR
(ns)
I
=100A
V
FR
=1.5 x V
F
max.
T
j
=125°C
dI
F
/dt(A/μs)
Figure 7.
Figure 8.
Transient peak forward voltage
versus dI
F
/dt (typical values)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
25
50
75
100
125
150
I
RM
Q
RR
I
F
= 100A
V
R
=320V
T
j
(°C)
Q
[T ]/Q
[T = 125° C] and I
RR
RR
RM
j
RM
[T ]/I
[T = 125° C]
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
V
Fp
(V)
I
F
=100A
T
j
=125°C
dI
F
/dt(A/μs)
Figure 9.
Figure 10.
Junction capacitance versus
reverse voltage applied (typical
values)
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
5000
0
100
200
300
400
500
t
FR
(ns)
I
=100A
V
FR
=1.1 x V
F
max.
T
j
=125°C
dI
F
/dt(A/μs)
100
1000
10000
1
10
100
1000
C(pF)
F=1MHz
V
OSC
=30mV
RMS
T
j
=25°C
V
R
(V)
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PDF描述
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