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參數(shù)資料
| 型號： | STTH200R04TV1 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | Ultrafast recovery diode |
| 中文描述： | 超快恢復(fù)二極管 |
| 文件頁數(shù)： | 3/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 96K |
| 代理商： | STTH200R04TV1 |
STTH200R04TV
Characteristics
3/7
Dynamic characteristics
Conduction losses versus
average current
Relative variation of thermal
impedance junction to case
versus pulse duration
Table 4.
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ
Max.
Unit
t
rr
Reverse recovery time
I
F
= 1 A, dI
F
/dt = -50 A/μs,
V
R
= 30 V, T
j
= 25° C
I
F
= 1 A, dI
F
/dt = -100 A/μs,
V
R
= 30 V, T
j
= 25° C
I
F
= 1 A, dI
F
/dt = -200 A/μs,
V
R
= 30 V, T
j
= 25° C
I
F
= 100 A, dI
F
/dt = -200 A/μs,
V
R
= 320 V, T
j
= 125° C
I
F
= 100 A, dI
F
/dt = -200 A/μs,
V
R
= 320 V, T
j
= 125° C
I
F
= 100 A, dI
F
/dt = -200 A/μs,
V
R
= 320 V, T
j
= 125° C
I
F
= 100 A dI
F
/dt = 100 A/μs
V
FR
= 1.5 x V
Fmax
, T
j
= 25° C
I
F
= 100 A, dI
F
/dt = 100 A/μs,
T
j
= 25° C
100
ns
50
70
40
55
I
RM
Reverse recovery current
22
32
A
Q
RR
Reverse recovery charges
1500
2900
nC
S
Softness factor
0.4
t
fr
Forward recovery time
1000
ns
V
FP
Forward recovery voltage
3.5
V
Figure 1.
Figure 2.
Forward voltage drop versus
forward current
0
20
40
60
80
100
120
140
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
130
P(W)
δ
=0.05
δ
=0.1
δ
=0.2
δ
=0.5
d=1
T
δ
=tp/T
tp
I
F(AV)
(A)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
I
FM
(A)
(Maximum values)
T
=150°C
(Typical values)
T
=150°C
T
=25°C
(Maximum values)
V
FM
(V)
Figure 3.
Figure 4.
Peak reverse recovery current
versus dI
F
/dt (typical values)
0.1
1.E-03
1.0
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
Z
th(j-c)
/R
th(j-c)
Single pulse
ISOTOP
tp(s)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
10
100
1000
I
RM
(A)
I
F
= 100A
V
R
=320V
T
j
=125 °C
T
j
=25 °C
dI
F
/dt(A/μs)
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