參數(shù)資料
型號(hào)： STTH2003CT
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： HIGH FREQUENCY SECONDARY RECTIFIER
中文描述： 高頻二次整流
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 132K
代理商： STTH2003CT
3/8
STTH2003CT/CG/CF/CR/CFP
0
2
4
6
8
10
12
0
2
4
6
8
10
12
14
IF(av) (A)
P1(W)
T
δ
=tp/T
tp
δ
= 1
δ
= 0.5
δ
= 0.2
δ
= 0.1
δ
= 0.05
Fig. 1:
Conduction losses versus average current
(per diode).
0.50 0.75 1.00 1.25 1.50 1.75 2.00 2.25 2.50 2.75 3.00
1
10
100
200
VFM(V)
IFM(A)
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=75°C
Fig. 2:
Forward voltage drop versus forward
current (maximum values, per diode
).
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
tp(s)
Zth(j-c)/Rth(j-c)
T
δ
=tp/T
tp
Single pulse
δ
= 0.5
δ
= 0.2
δ
= 0.1
Fig. 3-1:
Relative variation of thermal impedance
junction to case versus pulse duration (TO-220AB
/ D
2
PAK / I
2
PAK)
.
0
50
100 150 200 250 300 350 400 450 500
0
20
40
60
80
100
trr(ns)
VR=200V
Tj=125°C
IF=2*IF(av)
IF=IF(av)
IF=0.5*IF(av)
dIF/dt(A/μs)
Fig. 5:
Reverse recovery time versus dI
F
/dt (90%
confidence, per diode).
0
50
100 150 200 250 300 350 400 450 500
0
2
4
6
8
10
12
14
16
dIF/dt(A/μs)
IRM(A)
VR=200V
Tj=125°C
IF=2*IF(av)
IF=IF(av)
IF=0.5*IF(av)
Fig. 4:
dI
F
/dt (90% confidence, per diode).
Peak reverse recovery current versus
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Zth(j-c)/Rth(j-c)
tp(s)
T
δ
=tp/T
tp
Single pulse
δ
= 0.5
δ
= 0.2
δ
= 0.1
Fig. 3-2:
Relative variation of thermal impedance
junction
to
case
versus
(ISOWATT220AB).
pulse
duration
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