參數(shù)資料
型號： STTH2003CT
廠商： 意法半導體
英文描述： HIGH FREQUENCY SECONDARY RECTIFIER
中文描述： 高頻二次整流
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 132K
代理商： STTH2003CT
STTH2003CT/CG/CF/CR/CFP
2/8
Symbol
Parameter
Tests conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
R
*
Reverse leakage
current
V
R
= 300 V
Tj = 25°C
20
μ
A
Tj = 125°C
30
300
V
F
**
Forward voltage drop
I
F
= 10 A
Tj = 25°C
1.25
V
Tj = 125°C
0.85
1
Pulse test : * tp = 5 ms,
δ
< 2 %
** tp = 380
μ
s,
δ
< 2%
To evaluate the maximum conduction losses use the following equation :
P = 0.75 x I
F(AV)
+ 0.025 I
F2(RMS)
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(per diode)
Symbol
R
th (j-c)
Parameter
TO-220AB / D
2
PAK
/
I
2
PAK
Value
2.5
1.3
3.9
3.2
4.6
4
0.1
Unit
°
C/W
Junction to case
Per diode
Total
Per diode
Total
Per diode
Total
Coupling
ISOWATT220AB
TO-220FPAB
R
th (c)
TO-220AB / D
2
PAK
/
I
2
PAK
ISOWATT220AB
Coupling
2.5
TO-220FPAB
Coupling
3.5
THERMAL RESISTANCES
Symbol
Tests conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
trr
I
F
= 0.5 A
Irr = 0.25 A
I
R
= 1 A
Tj = 25
°
C
25
ns
I
F
= 1 A
dI
F
/dt = - 50 A/
μ
s
V
R
= 30 V
35
tfr
V
FP
S
factor
I
RM
I
F
= 10 A
V
FR
= 1.1 x V
F
max.
dI
F
/dt = 100 A/
μ
s
Tj = 25
°
C
230
3.5
ns
V
-
A
Vcc = 200V
dI
F
/dt = 200 A/
μ
s
I
F
= 10 A
Tj = 125°C
0.3
8
RECOVERY CHARACTERISTICS
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