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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | STTH1210 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | Ultrafast recovery - high voltage diode |
| 中文描述： | 超快恢復(fù)-高壓二極管 |
| 文件頁數(shù)： | 4/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 175K |
| 代理商： | STTH1210 |
Characteristics
STTH1210
4/11
Peak reverse recovery current
versus dI
F
/dt (typical values)
Reverse recovery charges
versus dI
F
/dt (typical values)
Relative variations of dynamic
parameters versus junction
temperature
Figure 5.
Figure 6.
Reverse recovery time versus dI
F
/dt
(typical values)
I
(A)
RM
0
5
10
15
20
25
30
35
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
V
R
=600V
T
j
=125°C
I
F
= 2 x I
F(AV)
I
F
= I
F(AV)
I
F
=0.5 x I
F(AV)
dI /dt(A/μs)
t (ns)
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
V
R
=600V
T
j
=125°C
I
F
=0.5 x I
F(AV)
I
F
= 2 x I
F(AV)
I
F
= I
F(AV
)
dI /dt(A/μs)
Figure 7.
Figure 8.
Softness factor versus dI
F
/dt
(typical values)
Q (μC)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
I
F
=0.5 x I
F(AV)
I
F
= I
F(AV)
I
F
= 2 x I
F(AV)
V
=600V
T
j
=125°C
dI /dt(A/μs)
S factor
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
I
F
= 2 x I
F(AV)
V
=600V
T
j
=125°C
dI /dt(A/μs)
Figure 9.
Figure 10.
Transient peak forward voltage
versus dI
F
/dt (typical values)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
25
50
75
100
125
I
RM
Q
RR
S
factor
I
F
= I
V
=600V
Reference: T
j
=125°C
t
RR
T (°C)
V
(V)
FP
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
0
100
200
300
400
500
I
F
= I
T
j
=125°C
dI /dt(A/μs)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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