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參數(shù)資料
| 型號： | STTH1210 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | Ultrafast recovery - high voltage diode |
| 中文描述： | 超快恢復-高壓二極管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 175K |
| 代理商： | STTH1210 |
Characteristics
STTH1210
2/11
1
Characteristics
Absolute ratings (limiting values at 25° C, unless otherwise specified)
Thermal parameters
Static electrical characteristics
To evaluate the conduction losses use the following equation:
P = 1.3 x I
F(AV)
+ 0.033 I
F2(RMS)
Table 1.
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
RRM
Repetitive peak reverse voltage
1000
V
I
F(RMS)
RMS forward current
TO-220AC / D
2
PAK / TO-220FPAC
30
A
TO-220AC Ins
20
I
F(AV)
Average forward current,
δ
= 0.5
TO-220AC / D
2
PAK
T
c
= 125° C
12
A
TO-220FPAC
T
c
= 40° C
TO-220AC Ins
T
c
= 95° C
I
FRM
Repetitive peak forward current
t
p
= 5 μs, F = 5 kHz square
120
A
I
FSM
Surge non repetitive forward current
t
p
= 10 ms Sinusoidal
80
A
T
stg
Storage temperature range
-65 to + 175
°C
T
j
Maximum operating junction temperature
175
°C
Table 2.
Symbol
Parameter
Value
Unit
R
th(j-c)
Junction to case
TO-220AC / D
2
PAK
1.9
°C/W
TO-220FPAC
5.4
TO-220AC Ins
3.1
Table 3.
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ
Max.
Unit
I
R(1)
Reverse leakage current
T
j
= 25° C
V
R
= V
RRM
10
μA
T
j
= 125° C
3
30
V
F(2)
Forward voltage drop
T
j
= 25° C
I
F
= 12 A
2.0
V
T
j
= 100° C
1.40
1.8
T
j
= 150° C
1.30
1.7
1.
Pulse test: t
p
= 5 ms,
δ
< 2 %
Pulse test: t
p
= 380 μs,
δ
< 2 %
2.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STTH1210D | Ultrafast recovery - high voltage diode |
| STTH1210DI | Ultrafast recovery - high voltage diode |
| STTH1210FP | Ultrafast recovery - high voltage diode |
| STTH1210G | Ultrafast recovery - high voltage diode |
| STTH1210G-TR | Ultrafast recovery - high voltage diode |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| STTH1210FP | 功能描述:整流器 high voltage diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
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