參數(shù)資料
型號： STTH106
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 二極管(射頻、小信號、開關(guān)、功率)
英文描述： 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
文件頁數(shù)： 4/5頁
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代理商： STTH106
STTH106
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150
200
250
300
350
400
450
500
dIF/dt(A/s)
IF=IF(av)
VR=400V
Tj=125°C
S factor
Fig. 7:
Softness factor versus dIF/dt (typical
values).
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
25
50
75
100
125
Tj(°C)
IRM
Qrr
S factor
IF=IF(av)
VR=400V
Reference: Tj=125°C
Fig.
8:
Relative
variation
of
dynamic
parameters versus junction temperature.
0
5
10
15
20
25
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
dIF/dt(A/s)
IF=IF(av)
Tj=125°C
VFp(V)
Fig. 9: Transient peak forward voltage versus
dIF/dt (90% confidence).
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
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0
20
40
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120
140
160
180
200
dIF/dt(A/s)
IF=IF(av)
VFR=1.1 x VF max.
Tj=125°C
trr(ns)
Fig. 10:
Forward recovery time versus dIF/dt
(90% confidence).
1
10
100
1
10
100
1000
VR(V)
F=1MHz
Vosc=30mV
Tj=25°C
C(pF)
Fig. 11:
Junction capacitance versus reverse
voltage applied (typical values).
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PDF描述
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