參數(shù)資料
型號(hào): STTH106
廠商: STMICROELECTRONICS
元件分類: 二極管(射頻、小信號(hào)、開關(guān)、功率)
英文描述: 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
文件頁(yè)數(shù): 3/5頁(yè)
文件大小: 49K
代理商: STTH106
STTH106
3/5
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
IF(av)(A)
P(W)
δ = 0.05 δ
= 0.1
δ = 0.2
δ = 0.5
δ = 1
T
δ=tp/T
tp
Fig. 1: Conduction losses versus average current.
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
01
23
45
VFM(V)
Tj=25°C
(Maximum values)
Tj=150°C
(Maximum values)
Tj=150°C
(Maximum values)
Tj=150°C
(Typical values)
Tj=150°C
(Typical values)
IFM(A)
Fig. 2: Forward voltage drop versus forward
current
.
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
tp(s)
δ = 0.5
δ = 0.2
δ = 0.1
Single pulse
Zth(j-a)/Rth(j-a)
T
δ=tp/T
tp
Fig. 3: Relative variation of thermal impedance
junction ambient versus pulse duration (epoxy
FR4, Leads = 10mm)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
130
140
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
dIF/dt(A/s)
VR=400V
Tj=125°C
IF=IF(av)
IF=0.5 x IF(av)
IF=2 x IF(av)
trr(ns)
Fig. 5:
Reverse recovery time versus dIF/dt
(90% confidence).
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
dIF/dt(A/s)
VR=400V
Tj=125°C
IF=2 x IF(av)
IF=0.5 x IF(av)
IF=IF(av)
IF=0.25 x IF(av)
IRM(A)
Fig. 4:
Peak reverse recovery current versus
dIF/dt (90% confidence).
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
dIF/dt(A/s)
VR=400V
Tj=125°C
IF=IF(av)
IF=0.5 x IF(av)
IF=2 x IF(av)
Qrr(nC)
Fig. 6: Reverse recovery charges versus dIF/dt
(90% confidence).
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PDF描述
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