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參數(shù)資料
| 型號： | STS9NF3LL |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | N-CHANNEL 30V - 0.016 ohm - 9A SO-8 LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFET |
| 中文描述： | N溝道30V的- 0.016歐姆-第9A型SO - 8低柵極電荷STripFET⑩二功率MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 1/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 274K |
| 代理商： | STS9NF3LL |
1/8
November 2001
.
STS9NF3LL
N-CHANNEL 30V - 0.016
- 9A SO-8
LOW GATE CHARGE STripFET II POWER MOSFET
I
TYPICAL R
DS
(on) = 0.016
I
OPTIMAL R
DS
(on) x Qg TRADE-OFF @ 4.5V
I
CONDUCTION LOSSES REDUCED
I
SWITCHING LOSSES REDUCED
DESCRIPTION
This application specific Power MOSFET is the second
generation of STMicroelectronis unique "Single Feature
Size" strip-based process. The resulting transistor
shows the best trade-off between on-resistance and gate
charge. When used as high and low side in buck
regulators, it gives the best performance in terms of both
conduction and switching losses. This is extremely
important for motherboards where fast switching and
high efficiency are of paramount importance.
APPLICATIONS
I
SPECIFICALLY DESIGNED AND OPTIMISED
FOR HIGH EFFICIENCY CPU CORE DC/DC
CONVERTERS FOR MOBILE PC
S
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
I
D
STS9NF3LL
30 V
<0.019
9 A
SO-8
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
DS
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
V
DGR
Drain-gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
V
GS
Gate- source Voltage
I
D
Drain Current (continuos) at T
C
= 25°C
I
D
Drain Current (continuos) at T
C
= 100°C
I
DM
(
)
Drain Current (pulsed)
P
tot
Total Dissipation at T
C
= 25°C
(
)
Pulse width limited by safe operating area.
Parameter
Value
30
30
± 16
9
5.6
36
2.5
Unit
V
V
V
A
A
A
W
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STT4NF30L | N - CHANNEL 30V - 0.055ohm - 4A - TSOP-6 STripFET MOSFET |
| STT4PF20V | P-CHANNEL 20V - 0.090 W - 3A SOT23-6L 2.7V-DRIVE STripFET?? II POWER MOSFET |
| STT818B | HIGH GAIN LOW VOLTAGE PNP POWER TRANSISTOR |
| STTA106 | TURBOSWITCH a ULTRA-FAST HIGH VOLTAGE DIODE |
| STTA106RL | TURBOSWITCH a ULTRA-FAST HIGH VOLTAGE DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STS9NH3LL | 功能描述:MOSFET NCh 30V 0.018 Ohm 9A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STS9NH3LL_07 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 30 V - 0.018 Ω - 9 A - SO-8 low gate charge STripFET? III Power MOSFET |
| STS9P2UH7 | 功能描述:MOSFET P-CH 20V 9A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:9A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:22.5 毫歐 @ 4.5A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:22nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2390pF @ 16V 功率 - 最大值:2.7W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| STSA1805 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN POWER TRANS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| STSA1805-AP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT POWER MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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