參數(shù)資料
型號： STS5N150
廠商： 意法半導體
英文描述： N-CHANNEL 150V - 0.045 OHM - 5A SO-8 LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET
中文描述： N溝道150伏- 0.045歐姆- 5A條的SO - 8低柵極電荷STripFET⑩功率MOSFET
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大小： 114K
代理商： STS5N150
STS5N150
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Fig. 2:
Gate Charge test Circuit
Fig. 3:
Test Circuit For Diode Recovery Behaviour
Fig. 1:
Switching Times Test Circuits For Resistive
Load
相關PDF資料
PDF描述
STS5PF20V P-CHANNEL 20V - 0.065 ohm - 5A SO-8 2.5V-DRIVE STripFET II POWER MOSFET
STSA851 LOW VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
STSA851-AP LOW VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
STSJ50NH3LL N-channel 30V - 0.008ohm - 12A - PowerSO-8 Ultra low gate charge STripFET Power MOSFET
STSJ80N4LLF3 N-channel 40V - 0.0042ヘ - 18A - PowerSO-8⑩ STripFET⑩III Power MOSFET for DC-DC conversion
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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STS5N15F4 功能描述:MOSFET N-channel 150 V StripFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STS5N15M3 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 150 V, 45 mΩ, 5 A, SO-8 ultra low gate charge MDmesh? III Power MOSFET
STS5NF60L 功能描述:MOSFET N-Ch 60 Volt 5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STS5NS150 功能描述:MOSFET N-Ch 150 Volt 5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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