參數(shù)資料
型號(hào)： STS2DNE60
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel 60V-0.180Ω-2A SO-8 STripFETTM Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
中文描述： N溝道60V的，0.180Ω- 2A型的SO - 8 STripFETTM功率MOSFET（不適用溝道功率MOSFET的）
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
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代理商： STS2DNE60
THERMAL DATA
R
thj-amb
T
j
T
stg
*Thermal Resistance Junction-ambient Single Operation
Dual Operation
Maximum Operating Junction Temperature
Storage Temperature
78
62.5
150
-55 to 150
o
C/W
o
C/W
o
C
o
C
(*)
Mounted on FR-4 board (t
≤ 10
sec)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwise specified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
I
D
= 250
μ
A V
GS
= 0
60
V
I
DSS
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating T
c
= 125
o
C
1
10
μ
A
μ
A
nA
I
GSS
V
GS
=
±
20 V
±
100
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
R
DS(on)
Gate Threshold Voltage V
DS
= V
GS
I
D
= 250
μ
A
Static Drain-source On
Resistance
2
4
V
V
GS
= 10 V I
D
= 1 A
0.180
0.23
I
D(on)
On State Drain Current
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
V
GS
= 10 V
8
A
DYNAMIC
Symbol
g
fs
(
)
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Forward
Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
I
D
= 1 A
1.8
S
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
= 25 V f = 1 MHz V
GS
= 0 V
310
45
12
pF
pF
pF
STS2DNE60
2/5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STS2DNF30L N-CHANNEL 30V - 0.09 ohm - 3A SO-8 STripFET⑩ POWER MOSFET
STS2DNFS30L N-CHANNEL 30V - 0.09ohm - 3A SO-8 STripFET⑩ II MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIER
STS3400 N-Channel E nhancement Mode F ield E ffect Trans is tor
STS3DPFS40 P-CHANNEL 40V - 0.070ohm - 3A SO-8 STripFET MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIER
STS5N150 N-CHANNEL 150V - 0.045 OHM - 5A SO-8 LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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STS2DPF20V 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:DUAL P-CHANNEL 20V - 0.14ohm - 2A SO-8 2.7V-DRIVE STripFET⑩ II POWER MOSFET
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