參數(shù)資料
型號(hào)： STR710RZT6
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 微控制器/微處理器
英文描述： 32-BIT, FLASH, 66 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQFP144
封裝： 20 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, LQFP-144
文件頁(yè)數(shù)： 41/77頁(yè)
文件大小： 1919K
代理商： STR710RZT6
Electrical parameters
STR71xF
46/77
5.3.3
Memory characteristics
Flash memory
V33 = 3.0 to 3.6V, TA = -40 to 85 °C unless otherwise specified.
Notes:
1.
TA=45°C after 0 cycles. Guaranteed by characterization, not tested in production.
2.
Guaranteed by design, not tested in production
Table 23.
Flash memory characteristics
Symbol
Parameter
Test Conditions
Value
Unit
Min.
Typ
Max1)
tPW
Word Program
40
s
tPDW
Double Word Program
60
s
tPB0
Bank 0 Program (256K)
Double Word Program
1.6
2.1
s
tPB1
Bank 1 Program (16K)
Double Word Program
130
170
ms
tES
Sector Erase (64K)
Not preprogrammed
Preprogrammed
2.3
1.9
4.0
3.3
s
tES
Sector Erase (8K)
Not preprogrammed
Preprogrammed
0.7
0.6
1.1
1.0
s
tES
Bank 0 Erase (256K)
Not preprogrammed
Preprogrammed
8.0
6.6
13.7
11.2
s
tES
Bank 1 Erase (16K)
Not preprogrammed
Preprogrammed
0.9
0.8
1.5
1.3
s
tRPD
2)
Recovery when disabled
20
s
tPSL
2)
Program Suspend Latency
10
s
tESL
2)
Erase Suspend Latency
300
s
NEND_B0
Endurance (Bank 0
sectors)
10
kcycles
NEND_B1
Endurance (Bank 1
sectors)
100
kcycles
tRET
Data Retention (Bank 0
and Bank 1)
TA=85°
20
Years
tESR
Erase Suspend Rate
Min time from Erase
Resume to next Erase
Suspend
20
ms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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