參數(shù)資料
型號： STPS30H100C
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER
中文描述： 高壓功率肖特基整流器
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大小： 66K
代理商： STPS30H100C
STPS30H100CW/CT
3/5
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
240
t(s)
IM(A)
Tc=25°C
Tc=150°C
Tc=75°C
I
M
t
δ
=0.5
Fig. 5:
Nonrepetitivesurgepeakforwardcurrentver-
sus overload duration (maximum values, per diode).
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
1E-5
1E-4
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
2E+0
VR(V)
IR(mA)
Tj=125°C
Tj=25°C
Fig. 7:
Reverse leakage current versus reverse
voltage applied (typical values, per diode).
1E-4
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
tp(s)
Zth(j-c)/Rth(j-c)
T
δ
=tp/T
tp
Single pulse
δ
= 0.5
δ
= 0.2
δ
= 0.1
Fig. 6:
Relative variation of thermal impedance
junction to case versus pulse duration.
1
2
5
10
20
50
100
100
200
500
1000
VR(V)
C(pF)
F=1MHz
Tj=25°C
Fig. 8:
Junction capacitance versus reverse
voltage applied (typical values, per diode).
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0
25
50
75
100
125
150
T (°C)
j
P
ARM
(25°C)
P
ARM p
Fig. 4:
Normalized avalanche power derating
versus junction temperature.
0.001
0.01
0.1
0.01
1
0.1
10
100
1000
1
t (μs)
P
ARM
(1μs)
P
ARM p
Fig. 3:
Normalized avalanche power derating
versus pulse duration.
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PDF描述
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