參數(shù)資料
型號： STPS30H100C
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER
中文描述： 高壓功率肖特基整流器
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 66K
代理商： STPS30H100C
STPS30H100CW/CT
2/5
Symbol
R
th (j-c)
Parameter
Value
1.6
0.9
0.1
Unit
°
C/W
Junction to case
Per diode
Total
Coupling
R
th (c)
THERMAL RESISTANCES
Symbol
Parameter
Tests Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
R
*
Reverse leakage current
Tj = 25°C
V
R
= V
RRM
5
μA
Tj = 125°C
2
6
mA
V
F
**
Forward voltage drop
Tj = 25
°
C
I
F
= 15 A
0.80
V
Tj = 125°C
I
F
= 15 A
0.64
0.67
Tj = 25
°
C
I
F
= 30 A
0.93
Tj = 125°C
I
F
= 30 A
0.74
0.80
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Pulse test :
* tp = 5 ms,
δ
< 2%
** tp = 380 μs,
δ
< 2%
To evaluate the maximum conduction losses use the following equation :
P = 0.54 x I
F(AV)
+ 0.0086 x I
F2(RMS)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0
2
4
6
8
10
12
14
IF(av) (A)
PF(av)(W)
T
δ
=tp/T
tp
δ
= 1
δ
= 0.5
δ
= 0.2
δ
= 0.1
δ
= 0.05
Fig. 1:
Average forward power dissipation versus
average forward current (per diode).
0
25
50
75
100
125
150
175
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
Tamb(°C)
IF(av)(A)
Rth(j-a)=15°C/W
Rth(j-a)=Rth(j-c)
T
δ
=tp/T
tp
Fig. 2:
Average forward current versus ambient
temperature (
δ
=0.5, per diode).
When the diodes 1 and 2 are used simultaneously :
Tj(diode 1) = P(diode1) x R
th(j-c)
(Per diode) + P(diode 2) x R
th(c)
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PDF描述
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STPS30H100CW HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER
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