參數(shù)資料
型號(hào)： STP6NC90ZFP
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 900V - 1.55ohm - 5.4A TO-220/FP/DPAK/IPAK Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
中文描述： N溝道900V - 1.55ohm - 5.4A TO-220/FP/D巴基斯坦/我巴基斯坦齊保護(hù)的PowerMESH⑩三MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 2/13頁(yè)
文件大小： 532K
代理商： STP6NC90ZFP
STP6NC90Z/STP6NC90ZFP/STB6NC90Z/STB6NC90Z-1
2/13
THERMAL DATA
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max)
E
AS
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25 °C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TCASE
= 25 °C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
OFF
Symbol
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
BV
DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp.
Coefficient
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating, T
C
= 125 °C
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
ON (1)
Symbol
V
GS(th)
R
DS(on)
DYNAMIC
Symbol
g
fs
(1)
TO-220 / D2PAK /
I2PAK
0.93
TO-220FP
Rthj-case
Rthj-amb
T
l
Thermal Resistance Junction-case Max
Thermal Resistance Junction-ambient Max
3.13
°C/W
°C/W
30
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
300
°C
Parameter
Max Value
5.4
Unit
A
356
mJ
Test Conditions
I
D
= 250 μA, V
GS
= 0
Min.
900
Typ.
Max.
Unit
V
I
D
= 1 mA, V
GS
= 0
1
V/°C
V
DS
= Max Rating
1
μA
50
μA
V
GS
= ±20V
±10
μA
Parameter
Test Conditions
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 10V, I
D
= 3 A
Min.
Typ.
Max.
Unit
Gate Threshold Voltage
3
4
5
V
Static Drain-source On
Resistance
1.55
1.9
Parameter
Test Conditions
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max,
I
D
= 3A
V
DS
= 25V, f = 1 MHz, V
GS
= 0
Min.
Typ.
5.7
Max.
Unit
S
Forward Transconductance
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
2290
pF
Output Capacitance
150
pF
Reverse Transfer
Capacitance
15
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB6NK60ZT4 N-CHANNEL 600V - 1ohm - 6A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
STP6NK60ZFP N-CHANNEL 600V - 1ohm - 6A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
STB6NK60Z-1 N-CHANNEL 600V - 1ohm - 6A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
STB70NF02L N-CHANNEL 20V - 0.006 OHM - 70A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET
STB70NF03L Niobium Oxide Capacitor; Capacitor Type:Low ESR; Voltage Rating:2.5VDC; Capacitor Dielectric Material:Niobium Oxide; Capacitance:150uF; Capacitance Tolerance:+/- 20%; ESR:100mohm; Operating Temp. Max:125 C RoHS Compliant: Yes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STP6NK50Z 功能描述:MOSFET N-Ch 500 Volt 5.6Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP6NK60Z 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 6 Amp Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP6NK60Z 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N TO-220
STP6NK60ZFP 功能描述:MOSFET N-Channel 600V Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP6NK60ZFP 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N TO-220FP
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*