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參數(shù)資料
| 型號： | STP6N60FI |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(N溝道增強模式功率MOSFET) |
| 中文描述： | N溝道增強模式功率MOS晶體管（不適用溝道增強模式功率MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 2/9頁 |
| 文件大小： | 151K |
| 代理商： | STP6N60FI |
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
R
thj-amb
T
l
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Thermal Resistance Case-sink
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
Max
Max
Typ
3.12
62.5
0.5
300
o
C/W
o
C/W
o
C/W
C
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Max Value
Unit
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max,
δ
< 1%)
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25
o
C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 25 V)
Repetitive Avalanche Energy
(pulse width limited by T
j
max,
δ
< 1%)
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(T
c
= 100
o
C, pulse width limited by T
j
max,
δ
< 1%)
6
A
E
AS
370
mJ
E
AR
17
mJ
I
AR
3.7
A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwise specified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
I
D
= 250
μ
A
V
GS
= 0
600
V
I
DSS
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating x 0.8
V
GS
=
±
20 V
T
c
= 125
o
C
250
1000
±
100
μ
A
μ
A
nA
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
I
D
= 250
μ
A
I
D
= 3 A
I
D
= 3 A
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage V
DS
= V
GS
2
3
4
V
R
DS(on)
Static Drain-source On
Resistance
V
GS
= 10V
V
GS
= 10V
T
c
= 100
o
C
1
1.2
2.4
A
I
D(on)
On State Drain Current
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
V
GS
= 10 V
6
DYNAMIC
Symbol
g
fs
(
)
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Forward
Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
I
D
= 3 A
2
4.8
S
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
= 25 V
f = 1 MHz
V
GS
= 0
1150
160
75
1500
240
110
pF
pF
pF
STP6N60FI
2/9
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STP6NK70Z | N-CHANNEL 700V - 1.5ohm - 5A TO-220/TO-220FP Zener-Protected SuperMESH MOSFET |
| STP7NA40 | N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強模式快速功率MOSFET) |
| STP7NA40FI | N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強模式快速功率MOSFET) |
| STP7NA60 | N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強模式快速功率MOSFET) |
| STP7NA60FI | N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強模式快速功率MOSFET) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STP6N60M2 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube 制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER MOSFET - Rail/Tube 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-CH 600V TO-220 制造商:STMicroelectronics 功能描述:STP6N60M2 Series 600 V 4.5 A 1.2 Ohm N-channel Power MOSFET - TO-220-3 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh II 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-Ch 600V 4.5A MDmesh II TO-220 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-Channel 600V 4.5A TO-220 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600V,1.06Ohm,4.5A Power MOSFET 制造商:STMicroelectronics 功能描述:600V,1.06,4.5A,N-Channel Power MOSFET |
| STP6N62K3 | 功能描述:MOSFET N-channel 620V 1.1 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STP6N65M2 | 功能描述:MOSFET N-CH 650V 4A TO-220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.35 歐姆 @ 2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:9.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:226pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 |
| STP6N80K5 | 功能描述:MOSFET N-CH 800V 4.5A TO-220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.6 歐姆 @ 2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:7.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:255pF @ 100V 功率 - 最大值:85W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 |
| STP6N90K5 | 功能描述:N-CHANNEL 900 V, 2.1 OHM TYP., 3 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA Vgs（最大值）:±30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:110W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.1 歐姆 @ 3A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50 |
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