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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | STP45NE06LFP |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | N-Channel 60V-0.022Ω-45A- TO-220/TO-220FP STripFETTM Power MOSFET(N溝道功率MOSFET) |
| 中文描述： | N溝道60V的，0.022Ω- 45A條，TO-220/TO-220FP STripFETTM功率MOSFET（不適用溝道功率MOSFET的） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/6頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 52K |
| 代理商： | STP45NE06LFP |
THERMAL DATA
TO-220
TO-220FP
R
thj-case
R
thj-amb
R
thc-sink
T
l
Thermal Resistance Junction-case
Max
1.5
4.28
o
C/W
o
C/W
o
C/W
o
C
Thermal Resistance Junction-ambient
Thermal Resistance Case-sink
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
Max
Typ
62.5
0.5
300
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Max Value
Unit
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max)
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25
o
C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 25V)
45
A
E
AS
150
mJ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwisespecified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
I
D
= 250
μ
A
V
GS
= 0
60
V
I
DSS
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating
T
c
= 125
o
C
1
10
μ
A
μ
A
nA
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
V
GS
=
±
20 V
±
100
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
Gate Threshold
Voltage
Static Drain-source On
Resistance
V
DS
= V
GS
I
D
= 250
μ
A
1
1.7
2.5
V
R
DS(on)
V
GS
= 5 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 22.5 A
I
D
= 22.5 A
0.024
0.022
0.03
0.028
I
D(on)
On State Drain Current
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
V
GS
= 10 V
45
A
DYNAMIC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs
(
)
Forward
Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
I
D
=22.5 A
15
30
S
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
= 25 V
f = 1 MHz
V
GS
= 0
2370
350
90
3600
480
100
pF
pF
pF
STP45NEO6LFP
2/6
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STP45NF3LLFP | N-CHANNEL 30V - 0.014ohm - 45A TO-220 - TO220FP - D2PAK STripFET II⑩ POWER MOSFET |
| STP45NF3LL | N-CHANNEL 30V - 0.014ohm - 45A TO-220 - TO220FP - D2PAK STripFET II⑩ POWER MOSFET |
| STB45NF3LL | N-CHANNEL 30V - 0.014ohm - 45A TO-220 - TO220FP - D2PAK STripFET II⑩ POWER MOSFET |
| STP4NA40F1 | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
| STP4NA40 | 32BIT W/ CACHE, MMU, FPU |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STP45NEO6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-CHANNEL 60V - 0.022 OMH - 45A - TO-220/TO-220FP STRIPFET POWER MOSFET |
| STP45NF06 | 功能描述:MOSFET N-Ch 60 Volt 38 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STP45NF06L | 功能描述:MOSFET N-Ch 60 Volt 38 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STP45NF06L | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N TO-220 |
| STP45NF3LL | 功能描述:MOSFET N-Ch 30 Volt 45 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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